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高亮度LED衬底材料研究

张克华 , 文东辉 , 袁巨龙

功能材料

衬底材料作为半导体照明产业技术发展的基石,是半导体照明产业的核心,具有举足轻重的地位,直接决定了LED芯片的制造路线.高亮度LED的半导体材料体系对衬底材料提出的要求比传统的LED更为严格.村底材料表面的粗糙度、热膨胀系数、热传导系数、极性的影响、表面的加工要求以及与外延材料间晶格间不匹配数,这些因素与高亮度LED的发光效率与稳定性密切相关.重点介绍几种典型材料与外延材料的晶格匹配及其加工要求,从材料制备难易程度和衬底与外延薄膜的化学稳定性对各种衬底材料进行比较分析,并对衬底材料的应用前景进行了预测.

关键词: 高亮度LED , 半导体照明 , 衬底材料

InGaAlP超高亮LED性能及可靠性

郑智斌 , 彭万华

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.02.011

InGaAlP超高亮LED是近年来发展的新型可见光LED, 具有发光效率高、 电流承受能力强及耐温性能好等特点, 应用于各种户外显示与照明装置。 本文汇集各厂家InGaAlP超高亮LED芯片, 并制成器件, 对其多种性能进行对比分析, 测试超高亮LED的发光强度与电流的关系以研究饱和电流的大小, 并进行电耐久性试验以考核超高亮LED芯片的可靠性; 简要介绍了封装工艺设计对超高亮LED性能参数的影响, 并提出超高亮LED性能及可靠性的其它要求, 为客户选用超高亮LED提供相对的依据。

关键词: 高亮 , LED , 可靠性 , 饱和电流

中厚板在线控冷高密度管层流水冷装置的开发

蔡庆伍 , 唐获 , 徐福昌 , 李谋渭 , 李成果 , 王润生 , 高亮 , 丛津功

钢铁

钢板的轧后控冷可以获得良好的力学性能和焊接性能.介绍了在鞍钢厚板轧机后建立的用于轧后控冷的高密度管层流冷却系统,该系统采用了自主开发的高密度管层流冷却装置,具有冷却能力强、冷却均匀,冷却后板形不变、设备结构及维护简单等特点.通过鞍钢厚板厂的现场生产实践,该系统已达到了设计的要求.

关键词: 高密度管层流 , 钢板轧后控冷

高亮度LED测量问题

鲍超

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.04.003

从原理上讨论了高亮度LED光强测试不确定性大的问题,大多数发光二极管不能被看作点光源,因此实际测量的是平均发光强度,它的测试结果与测试装置结构有关.为解决这个问题,CIE(国际照明委员会)制定并推荐标准测试条件A,B.介绍了根据CIE-127文件设计的平均LED发光强度测试仪;讨论了LED光通量和颜色测量问题,介绍了色温和相关色温测试的方法.对今后的测量和测试标准问题提出了意见.

关键词: LED , 平均发光强度 , 光通量 , 色度坐标 , 色温 , 相关色温

溶胶-凝胶法合成堇青石材料性能的研究

刘振英 , 马献 , 汤根 , 陈梦竹 , 宋雪洋 , 高亮 , 叶建军

硅酸盐通报

以正硅酸乙酯,六水硝酸镁,九水硝酸铝为原料,无水乙醇为溶剂,采用溶胶-凝胶法制备均质堇青石粉体,将粉体压制后在1250℃保温2h烧成后得到堇青石陶瓷烧结体,通过DSC-TGA、 XRD和SEM对试样进行表征.结果表明:前驱体经不同温度煅烧后得到堇青石粉体的晶相经历了从无定形态向α-堇青石转变的过程,μ-堇青石在950℃时结晶形成,1200℃时,μ-堇青石转化为α-堇青石,同时有镁铝尖晶石相出现,1250℃时,α-堇青石相增多,μ-堇青石相和镁铝尖晶石相消失,堇青石的结晶程度较好,其烧结体的致密度达到最高,为2.456 g/cm3,晶粒细小,微观结构比较均匀致密.

关键词: 溶胶-凝胶 , 堇青石 , 性能

高亮度LCoS微显示器的接口设计

任立儒 , 耿卫东 , 孙钟林

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.04.007

为了提高LCoS微显示器的亮度,提出了双拍存储伪并行的驱动方式,设计了适用于高亮度LCoS微显示器的接口ASIC(专用集成电路),从而使LCoS微显示器的亮度可以提高数倍,并获得了更小的接口尺寸和更低的功耗.

关键词: LCoS微显示器 , 场序彩色 , 高亮 , 接口

铝及铝合金高亮度无黄烟化学抛光工艺

庞洪涛 , 李鑫庆 , 王菊荣

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2002.11.015

从化学抛光机理入手,通过大量试验得到高亮度的无黄烟化学抛光添加剂及相应的抛光工艺,在消除黄烟污染的前提下提高了无烟化学抛光的亮度,同时用电化学方法对添加剂机理进行了分析.

关键词: 铝合金 , 化学抛光 , 添加剂 , 机理

高亮度GaN基蓝色LED的研究进展

文尚胜

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.01.002

高亮度GaN基蓝色LED的发展将会引起照明技术的一场革命,它是目前全球半导体领域研究和投资的热点.本文综合分析了了GaN材料的特性及相应的材料生长和欧姆接触、刻蚀工艺等关键技术,并对GaN基蓝色LED器件的进一步改进及应用前景作了展望.

关键词: GaN , 蓝色LED , 欧姆接触 , 刻蚀

高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展

刘坚斌 , 李培咸 , 郝跃

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.05.001

GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击.简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展,阐述了为了改善LED性能的一些新措施、LED在照明光源上的应用优势,给出了白光LED的常用制备方法以及最新的研究成果.最后,提出了需要着重解决的问题.

关键词: 光电子学 , 半导体材料 , GaN , 蓝光LED , 白光LED

AlGaInP高亮度发光二极管

李玉璋 , 王国宏 , 马骁宇 , 曹青 , 王树堂 , 陈良惠

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.02.005

分析了AlGaInP材料的特点和AlGaInP高亮度发光二极管发光效率的决定因素,对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析,从理论上指出AlGaInP发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取效率,而在黄绿波段是发光二极管的内量子效率.并利用LP-MOCVD技术制备了cd级橙黄高亮度发光二极管,发光波长峰值在605nm,FWHM为18.3nm,20mA工作电流下,5.08cm(2英寸)外延片管芯平均轴向发光强度为20mcd,最大30mcd,平均工作电压1.9V,透明峰值角度2θ1/2=15°时轴向发光强度达到1000mcd.

关键词: AlGaInP , 发光二极管 , 低压有机金属气相外延

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