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海南省东方市踏王山金矿床流体包裹体特征及矿床成因

熊瑛 , 朱自强 , 胡祥昭 ,

中国有色金属学报

踏王山金矿位于海南省戈枕金矿带东南部,矿体主要产于东西向构造蚀变带中,矿石类型为蚀变岩型和石英脉型.在详细的野外地质调查基础上,对踏王山金矿床流体包裹体特征进行研究,并结合矿体产出形态特征,对流体来源以及矿床成因进行探讨.结果表明:矿区流体包裹体主要为气液两相包裹体和纯CO2包裹体,成矿流体具有中低温(均一温度为192~362℃)、中盐度(平均值为7.52%)及低密度(0.46~0.87g/cm3)的特征,成矿深度为中深环境.从包裹体成分上看,流体包裹体既有岩浆水特征(高H2O、H2含量,w(F-)/w(Cl-)≥1),又具有地下热卤水的特征(w(Na+)/w(K+)>1),明显富集Ca2+或者Ca2+含量较高的成分,显示可能为混合流体.矿床成因为岩浆热液与地下热卤水叠加的复合型中低温热液矿床.

关键词: 流体包裹体 , 矿床成因 , 金矿 , 海南

基于混合正则化的重力场约束反演

朱自强 , 曹书锦 ,

中国有色金属学报

在实际地下地质构造是一类多尺度的构造(如断层和褶皱等),而传统的正则化方法多基于最小光滑策略,其反演密度模型一般不易辨识以上构造。为此在分裂Bregman迭代正则化框架下引入混合正则化方法以充分利用非光滑反演和小波多尺度反演算子的特性,引入与衰减系数无关的深度加权矩阵以更好地描述深部异常;针对非光滑反演中异常幅值易于超出现实及理论异常范围,引入密度成像中的约束以确保反演具有物理意义。通过设置两类模型,对比多类正则化反演方法。反演结果显示:混合正则化反演能有效地勾勒异常边界;在处理埋深不同的异常源时,相对于聚焦反演出现的过度聚焦现象而导致的反演深度描述不准确、异常歪斜,混合正则化反演的聚焦效应相对较弱、但深度描述准确。这表明本研究反演确实可行、有效,且具有更强的适应性。

关键词: 深度加权 , 密度约束 , 聚焦反演 , 混合正则化 , 边界识别

重力梯度张量种植反演

曹书锦 , 朱自强 ,

中国有色金属学报 doi:10.19476/j.ysxb.1004.0609.2017.05.017

针对在重力梯度张量正演中计算耗时过长和核矩阵内存消耗过大等制约反演实施的瓶颈问题,在L1范数的基础上,引入种植反演,用累加求和分析替换迭代求解,避免计算或存储反演核矩阵,以减少内存占用和加快反演迭代;针对种植反演容易导致相邻异常源相互侵入的问题,引入一个基于位场水平衰减特性加权函数来限制密度吸引子的作用范围,以期使密度吸引子忽略较远的异常源,抑制相邻异常源相互干扰.反演结果及分析表明重力及重力梯度张量种植反演所需计算机内存小和水平衰减特性加权函数能有效的抑制相邻异常源的侵入.

关键词: 种植反演 , 水平加权特性函数 , 重力梯度张量 , L1范数

铜双金属薄膜的激光诱导换膜和伏性质

刘婧 , 陈福义 , 樊莉红 , 张金生

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2012.02.004

利用激光诱导换膜的方法在氧化钛基体上制备出了铜双金属薄膜,通过控制激光加工的参数和铜成分制备出样品.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)和J-V曲线分别对加工前后样品的结构、形貌及伏性质进行了表征.结果表明:随着溶液中Cu2+浓度的增加,在ITO玻璃上所制备的铜纳米枝晶的尺寸减小;利用激光诱导换膜工艺,可以在氧化钛基体上制备出铜双金属薄膜;相比氧化钛膜,在氧化钛膜上沉积铜双金属薄膜的阳极具有更高的短路电流密度和开路电压;随着激光加工功率的增大,氧化钛膜上的铜颗粒变小,阳极的短路电流密度和开路电压均有增大,但是当激光加工功率很大时,其开路电压变小;在同一激光加工功率下,随着铜双金属薄膜中银含量的增大,其短路电流密度和开路电压均有增大.

关键词: 复合材料 , 铜双金属 , 氧化钛 , 阳极 , 电沉积 , 激光诱导换膜 , 伏性质

伏电池正极浆用球形银粉的制备

琚伟 , 马望京 , 彭丹 , 牟秋红 , 张方志 , 陈义祥

贵金属

采用化学还原法制备伏电池正极浆用球形银粉,通过扫描电镜(SEM)和激光粒度仪表征了银粉的形貌和粒度,研究还原剂的种类、表面活性剂浓度以及反应时间等工艺条件对银粉粒度及形貌的影响。结果表明,采用抗坏血酸作还原剂、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作分散剂时,可以得到分散性好、粒度约为1.5μm的球状银粉。将该银粉制成浆料,印刷、烘干并烧结后,表征了电极形貌,用四探针电阻仪测得烧结层的方阻<5m?/□,可满足太阳能电池的电性能要求。

关键词: 金属材料 , 伏电池 , 球形银粉 , 正极 , 粒径均一

沉积微弧氧化TiO2膜光催化杀菌研究

苏会东 , 刘瑛 , 魏守强 , 邵忠财 , 翟玉春

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2006.01.009

以磷酸钠为电解液,采用微弧氧化技术在钛片上直接制备TiO2膜,利用硝酸银光沉积法对该膜表面进行修饰,以酵母菌为目标物来评价TiO2膜光催化杀菌的能力.利用XRD、SEM、EDX对微弧氧化膜晶型、表面形貌和成分进行观察.研究结果表明:微弧氧化TiO2膜主要由锐钛矿TiO2组成,电解时间增长锐钛矿TiO2增多,TiO2膜光催化杀菌效果明显好于单独紫外的杀菌效果;沉积修饰可以改变微弧氧化TiO2膜的表面成分,改善膜的光催化性能.沉积微弧氧化TiO2膜和微弧氧化TiO2膜以及单独紫外30min的杀菌效率分别为98.5%、75.4%和42.5%.并简介微孤氧化TiO2催化剂可以重复使用.

关键词: 二氧化钛 , 微弧氧化 , 沉积 , 光催化杀菌

脱氧胆酸改性普兰多糖纳米粒子制备与表征

史艳萍 , 李学敏 , 陈宝泉 , 黄玉平 , 张其清

功能材料

通过酯化反应将脱氧胆酸偶联于普兰多糖骨架形成具有两亲性的普兰多糖衍生物(DP),采用纳米沉淀法制备纳米粒子(DPNs),考察制备条件对纳米粒子性质影响,为进一步将其作为药物载体的研究提供基础。衍生物DP结构通过FT-IR和1 H NMR表征,DPNs经透射电镜、动态散射仪和zeta电位仪表征检测。获得不同取代度脱氧胆酸改性普兰多糖衍生物,制备得到的纳米粒子呈球形,表面光滑规整,平均粒径100~300nm,zeta电位在-20mV左右。脱氧胆酸改性普兰多糖衍生物通过纳米沉淀法能制备出纳米粒子,颗粒性质受制备条件影响。

关键词: 脱氧胆酸 , 兰多糖 , 纳米粒子 , 纳米沉淀法 , 自组装

铜双原子MACE法制备多晶硅陷结构及其性能的研究?

郑超凡 , 沈鸿烈 , 蒲天 , 蒋晔 , 李玉芳 , 唐群涛 , 吴斯泰 , 陈洁仪 , 金磊

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.01.042

采用一步铜双原子金属辅助化学腐蚀(MACE)法,于室温下在多晶硅表面制备纳米陷结构,研究了腐蚀时间及铜摩尔比对多晶硅表面反射率和形貌的影响.用分光光度计测量了多晶硅表面的反射率,用扫描电镜观察了表面形貌.发现铜双原子MACE法所形成的结构比单原子或铜单原子MACE 法所形成的结构更加平整且具有更低的表面反射率室温下经过铜两种金属原子协同催化腐蚀后,在铜原子摩尔比低于1/10时多晶硅表面形成了纳米多孔状与槽状结构共存的复合结构,在铜原子摩尔比高于1/5时多晶硅表面形成密集的纳米线结构.研究结果表明,孔状与槽状的复合结构具有良好的陷效果,当铜原子摩尔比为1/10,腐蚀时间为180 s时,多晶硅的反射率达到最低,仅为6.23%.

关键词: 黑硅 , 减反射 , 纳米结构 , 金属辅助化学法 , 铜双原子

一维氧化硅/核-壳型纳米复合材料的制备及其消性能

刘琨 , 冯其明 , 欧乐明 , 赵明君 , 肖愉

中国有色金属学报

利用预处理-化学镀法在氧化硅纳米线表面包覆层,制备出具有一维核-壳结构的氧化硅/纳米复合材料.结果表明:当Ag(NH3)2+浓度为0.05~0.25 mol/L时,可在氧化硅纳米线表而彤成银包覆层,随着氨离子浓度的增加,其厚度从数十纳米增加到上百纳米;壳层由大小不一、纯度很高、面心立方结构的纳米粒子紧密堆积而成;一维氧化硅/核-壳纳米复合材料的实测值紫外-可见吸收光谱和采用离散偶极近似理论模拟计算的理论光谱很接近;可见区的吸收峰和近红外区的吸收峰分别来源于核-壳纳米复合材料横向和纵向偶极表面等离子体共振层厚度的增加使近红外区的吸收峰发生明显蓝移.

关键词: 氧化硅/ , 一维核-壳纳米结构 , 化学镀 , 性能 , 离散偶极近似

纳米线柔性透明导电薄膜的可控制备和、电性能

钱小立 , 张欢 , 王文韬 , 廖景文 , 彭海炎

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.02.019

柔性电子学的高速发展,亟需开发新型高透光率、低电阻的的柔性透明导电薄膜.首先在聚乙烯吡咯烷酮(PVP)存在下,用乙二醇还原硝酸法合成了纳米线,并采用氯化铁(FeCl3)调节纳米线的直径和长径比,获得了直径为100 nm、长度为47 μm、分散均匀的纳米线.然后将纳米线沉积在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜上形成纳米线导电薄膜,研究了纳米线沉积密度和直径对导电薄膜透光率和方阻的影响规律.研究发现,随着纳米线沉积密度的增加,导电薄膜的透过率和方阻都降低,但其品质系数(F.O.M.)增加,最高可达410.当导电薄膜的透光率为80%时,纳米线直径为35和70 nm的体系具有较低方阻,约132 Ω/□.而且,该导电薄膜还表现出良好的耐弯曲性能.

关键词: 纳米线 , 柔性透明导电膜 , 氯化铁 , 透光率 , 方阻

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