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氢原子在Cat-CVD法制备多晶硅薄膜中的作用

邝俊峰 , 付国柱 , 高博 , 高文涛 , 黄金 , 廖燕平 , 荆海

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.06.009

采用钨丝催化化学气相沉积(Cat-CVD)方法制备多晶硅(p-Si)薄膜,研究氢气稀释率(FR(H2)/(FR(H2)+FR(SiH4))对制备多晶硅薄膜的影响.XRD和喇曼光谱分析分别显示(111)面取向的多晶硅峰及喇曼频移为520 cm-1多晶硅峰的强度随氢气稀释率的增加而增强,由喇曼光谱计算的结晶度也有同样的趋势.通过分析测试结果得出,氢原子以表面脱氢、刻蚀弱的Si-Si键,及进入晶格内部进行深度脱氢等方式改善薄膜材料的结晶度.

关键词: 多晶硅薄膜 , 氢原子 , 催化化学气相沉积

Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜的孕育层控制

张玉 , 荆海 , 付国柱 , 高博 , 廖燕平 , 李世伟 , 黄金

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.01.008

采用催化化学气相沉积法(Cat-CVD)制备多晶硅(p-Si)薄膜的初期会形成一层比较厚的非晶硅(a-Si)孕育层.这层孕育层作为p-Si的前驱生长物,给p-Si的晶化提供晶核,同时这层薄膜又存在较多的缺陷,严重影响了p-Si器件的性能.文章采用p-Si的间断生长,对预先沉积的a-Si孕育层进行数分钟的氢原子刻蚀,目的是刻蚀掉有严重缺陷的Si-Si键,保留与晶体硅匹配的Si-Si键,促进晶核形成,抑制孕育层的再生长.经XRD和SEM测试发现,间断p-Si的生长,经若干分钟的H原子处理后多晶硅很快就形成,结晶取向在(111)面上最强,晶粒尺寸平均为80 nm.而传统方法连续生长20 min的硅薄膜经XRD测试未出现多晶硅特征峰.结果表明,用Cat-CVD制备p-Si薄膜,间断生长过程,用氢原子处理预先沉积的一层a-Si孕育层,可以抑制孕育层的生长,提高了p-Si薄膜的晶化速率.

关键词: 催化化学气相沉积法 , 多晶硅薄膜 , 非晶硅孕育层 , 氢原子刻蚀 , 晶核 , 晶化速率

有源OLED像素电路的设计与仿真

黄金 , 安吉宇 , 张志伟 , 赵玉环 , 荆海 , 凌志华

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.04.011

设计了有源OLED显示用非晶硅薄膜晶体管恒流型4-TFT像素驱动电路,并给出了驱动方法.应用HSPICE仿真了恒流型像素驱动电路的工作过程,详细分析了源(Source)电压VDD、存储电容Cs,以及开关晶体管T1、驱动晶体管T3的宽长比等参数对电路的输出特性的影响.仿真结果表明,此电路可以在整个帧周期持续供给OLED器件电流,并且解决了由于各像素驱动管阈值电压的差异带来的OLED亮度的不均匀问题.

关键词: 有源OLED , 非晶硅薄膜晶体管 , 像素驱动电路 , 仿真

Ni金属诱导晶化非晶硅(a-Si:H)薄膜

黄金 , 赵玉环 , 张志伟 , 荆海 , 凌志华

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.05.008

对在氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄膜特性进行了研究.XRD测量结果表明非晶硅在500 ℃退火1 h后就已经全部晶化.金属诱导晶化的优选晶向为(220),而且晶粒随退火时间的延长而长大.非晶硅薄膜样品500 ℃下退火6 h后的扫描电镜照片显示,原金属镍覆盖区非晶硅全部晶化,晶粒均匀,平均晶粒大小约为0.3 μm,而且已经发生横向晶化.EDS测试Ni在晶化的非晶硅薄膜中的原子百分含量分析表明,金属Ni在MILC过程中的作用只是催化晶化,除了少量残留在MILC多晶硅中外,其余的Ni原子都迁移至晶化的前沿.500 ℃下退火20 h后样品的Raman测试结果也表明,金属离子向周边薄膜扩散,横向晶化了非晶硅薄膜.

关键词: 氢化非晶硅 , 多晶硅 , 金属诱导晶化 , 金属诱导横向晶化

双栅酞菁铜有机薄膜晶体管

宋林 , 徐征 , 赵谡玲 , 张福俊 , 黄金 , 黄金

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.04.007

有机薄膜晶体管以其成本低、柔性好、易加工等优点越来越受到人们的青睐,目前已广泛应用于低端器件.为了获得更实际的应用,OTFTs的性能还需进一步的提高和改善.文章中以酞菁铜(CuPc)为有机半导体材料,制备了双栅结构的有机薄膜晶体管,其阈值电压为-4.5 V,场效应迁移率0.025 cm2/V·s,开关电流比Ion/Ioff达到9.8×103,与单栅有机薄膜晶体管相比,双栅器件在更低的操作电压下获得了更大的输出电流,场效应迁移率更高,而且通过对两个栅压的调节,对导电沟道实现了更好的控制,器件性能有了较大的提高.

关键词: 有机薄膜晶体管 , 双栅 , 酞菁铜

二垩与资源回收-Ⅲ燃烧过程二垩生成热力学计算

钢铁

进行相关热力学计算以研究高温燃烧过程二垩生成的条件.计算得到:①在体系存在过剩氧即完全燃烧时不会产生二垩;②当有固体碳沉积时也不会生成二垩,因固体碳在热力学上比含二垩的含碳物更稳定.另一方面,实际上即使在1 073 K完全燃烧条件下(即体系显著过剩氧)也有二垩生成,原因是在实际燃烧炉中含碳微粒不可能完全烧尽.从热力学角度假设不发生碳沉积,计算得出二垩在1 073 K高温和高CO/CO2比范围内会生成.实际考虑的条件放在燃烧炉内含碳微粒的周围.在有含碳微粒存在条件下,即使反应2CO→C+CO2(碳沉积)发生,C+CO2→2CO反应(CO生成;含碳微粒被CO2氧化)也会同时发生,导致在含碳微粒周围保持一个高的CO/CO2比,由此产生二垩.假设在含碳微粒周围存在高CO/CO2比的异质位置,则认为二垩会形成.

关键词: 燃烧过程 , 二垩生成 , 含碳微粒 , 热力学

黄金租赁市场研究

张兴艳 , 朱雅斌 , 陈小竹

黄金 doi:10.11792/hj20140603

随着中国黄金市场改革开放不断深化,黄金租赁规模快速扩张,但由于中国央行未对商业银行提供黄金租赁头寸以及黄金进出口管制等原因,国内黄金租赁利率形成机制市场化程度不高,黄金租赁规模非正常扩张等问题日渐突出。文中分析了国际市场黄金租赁利率的形成机制、黄金租赁的基本形式,提出了规范国内黄金租赁业务的途径。

关键词: 黄金租赁 , 利率 , 机制 , 建议

黄金储备变动与黄金货币地位

周洁卿

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2005.03.002

黄金非货币化后,各国央行调整黄金储备.其调整的目的分为二类:一类是把黄金作为商品,降低黄金储备量;另一类是充分利用黄金货币作用,使用黄金进口紧缺物资、贷款、偿还债务等.从金融机构调整黄金储备的动机与目的分析,笔者认为大部分央行并非刻意减少黄金储备,而是运用黄金货币职能,调整经济发展.

关键词: 黄金储蓄 , 货币地位 , 调整

中国锆砂中长期需求分析

蒋东民

钛工业进展 doi:10.3969/j.issn.1009-9964.2011.04.002

介绍了中国锆砂原料、生产和供应现状以及2005-2009年间锆砂需求状况.分析了硅酸锆、氧氯化锆、核级锆,和钢铁、玻璃面板等行业对锆砂的中长期需求.指出,在相当长时期内中国锆砂依赖进口的格局不会变,国内经济持续平稳发展以及国际市场对锆制品的恢复性需求,使得中国对锆砂需求仍将持续增加.

关键词: , 硅酸锆 , 氧氯化锆 , 资源储量 , 需求分析

黄金供需分析

孙艳芳

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2006.04.002

目前,我国对黄金的需求主要由央行储备、工业用金、饰品消费和投资需求4部分组成.通过对黄金供需形势的分析,得出中国的黄金需求市场是一个前景广阔的市场.虽然国内的黄金产量逐年增加,但面对日益旺盛的黄金需求,国内的黄金产量难以满足,黄金的缺口需要通过进口来满足.因此,在大量进口黄金的情况下,避免价格波动的风险成为不得不考虑的问题,这时推出黄金期货很有必要性.

关键词: 央行储备 , 工业用金 , 饰品消费 , 投资需求

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