章国强
,
黄靖云
,
亓震
,
卢焕明
,
赵炳辉
,
汪雷
,
叶志镇
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.01.005
SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一.处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性.本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究.
关键词:
锗硅碳合金
,
应变弛豫
,
超高真空CVD
王亚东
,
黄靖云
,
叶志镇
,
汪雷
,
马德群
,
赵炳辉
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.02.009
本文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD)在720℃Si(100)衬底上进行了实时B掺杂的硅外延.采用二次离子质谱仪(SIMS),傅立叶红外光谱(FTIR),扩展电阻仪(SRP)对外延层的性能进行研究.研究表明:720℃生长时已经实时掺入了B原子,1000℃退火5分钟后,外延层中B原子被激活,浓度达到1017～1O18cm-1,且过渡层分布陡峭.
关键词:
超高真空化学气相沉积
,
实时B掺杂
,
硅外延
张亚琳
,
黄靖云
,
吴科伟
,
卢洋藩
,
叶志镇
材料科学与工程学报
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在MgO(100)衬底上成功生长了非极性的m面(1010) ZnMgO薄膜.研究了衬底温度对ZnMgO薄膜生长取向的影响.X射线衍射(XRD)分析结果表明当衬底温度为400℃时可以获得单一取向的m面ZnMgO薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)观察到ZnMgO薄膜表面平整,由条纹状结构组成.透射电子显微镜(TEM)分析进一步证明ZnMgO为具有m面取向的单晶薄膜.X射线光电子能谱(XPS)定量分析表明ZnMgO薄膜中Mg含量为3at.％.
关键词:
ZnMgO
,
m面
,
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
叶志镇
,
黄靖云
材料导报
光电集成是未来信息技术发展的重要方向之一,硅基光电集成具有巨大的应用前景,在硅基材料及集成方面源头创新空间很大.论述了新颖的硅基材料研究现状及应用前景.
关键词:
硅基材料
,
光电
,
集成
卢焕明
,
叶志镇
,
黄靖云
,
汪雷
,
赵炳辉
无机材料学报
利用透射电子显微镜及X射线衍射,研究脉冲激光沉积技术(PLD)在Si(001)衬底上生长LiNbO3薄膜的微结构.结果表明,在600℃的衬底温度、30Pa的氧分压条件下,在硅片表面5nm厚的非晶氧化层上生长的薄膜,为c轴择优取向的单相LiNbO3晶体.本文还讨论了获得c轴择优取向LiNbO3薄膜的生长机理.
关键词:
LiNbO3薄膜
,
transmission electron microscopy
,
pulsed laser deposition
方敏
,
丛宏林
,
江忠永
,
黄靖云
材料科学与工程学报
以CuO、Cu、Al2O3和NaOH粉末作为反应原料,通过水热法制备了CuAlO2粉末。用X射线衍射（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）,X射线光电子能谱（XPS）,红外光谱对产物进行表征。XRD和SEM分析结果表明,反应时间、反应温度对产物的结晶程度和晶粒大小有着重要的影响。随着反应时间的增加,样品晶粒的粒径增大,而且晶粒变得均匀。XPS分析结果表明,当反应温度达到360℃,反应时间为12小时,反应产物中只有CuAlO相。
关键词:
CuAlO2
,
水热反应
,
X射线光电子能谱
,
红外光谱
陈莹娟
,
孙宝全
,
金一政
,
黄靖云
材料科学与工程学报
以Na2S、Na2 SnO3、稀盐酸及水合肼为原料成功合成了锡硫化合物(Metal ehalcogenidometalates,MCCs).该化合物在离子溶液中解离出SnS44或Sn2 S64,这两种低聚阴离子因其电子空间结构特殊而具有配位作用,故能置换CdSe量子点表面原有的长链有机配体,从而实现量子点从有机相到无机相的转移.配体交换后的量子点可以较好地分散在水、氨水、水合肼和二甲亚砜等一系列极性溶剂中.我们分别用透射电子显微镜(TEM)、紫外吸收光谱(UV)、荧光发射光谱(PL)和红外吸收光谱(FTIR)表征了CdSe的分散性、光学性质及表面配体情况.
关键词:
锡硫化合物
,
硒化镉量子点
,
配体交换
,
水溶性
,
生物相容性
吴贵斌
,
崔继锋
,
黄靖云
,
叶志镇
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2004.02.002
本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱的研究,指出表面由于锗的偏析,造成锗在体内和表面的含量不同,在低温时生长锗硅合金,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析,但随着温度的升高,氢的脱附造成锗的偏析现象更加明显.
关键词:
锗硅合金
,
表面偏析
,
表面耗尽
,
超高真空化学气相沉积
