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新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究

曲宝壮 , 朱勤生 , 陈振 , 陆大成 , 韩培德 , 刘祥林 , 王晓晖 , 孙学浩 , 李昱峰 , 陆沅 , 大兵 , 王占国

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.003

利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)技术 , 采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生 长出多层 InGaN/GaN量子点.这种方法是对 GaN表面进行钝化并在低温下生长 ,从而增加表面吸 附原子的迁移势垒.采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点.从量子点 样品的 I- V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的 共振隧穿.

关键词: 量子点 , MOCVD , 共振隧穿 , InGaN/GaN

缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响

吴洁君 , 韩修训 , 李杰民 , 大兵 , 魏宏远 , 康亭亭 , 王晓晖 , 刘祥林 , 王占国

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.018

本文研究了低温GaN(LT-GaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响.用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LT-GaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角GaN小晶粒的数量减少,且取向较为一致.用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能,发现随着LT-GaN缓冲层厚度的增加:XRD的半高宽FWHMs增大,表面粗糙度先减小后又略有增大,背底载流子浓度则随之减少,而迁移率的变化则不明显.通过分析进一步确认LT-GaN缓冲层的最优生长时间.

关键词: 缓冲层厚度 , GaN , 蓝宝石衬底 , MOCVD

AlInGaN合金的发光机制研究

董逊 , 黄劲松 , 大兵 , 刘祥林 , 徐仲英 , 王占国

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.06.007

用变温光致发光谱和时间分辨光谱研究了AlInGaN合金的发光机制.实验结果表明,发光强度随时间并不是呈指数衰减关系,而可以用伸展指数哀减函数来描述,表明材料中存在明显的无序.形成这种无序的原因是In组分不均产生的微结构(如量子点).伸展指数衰减函数中弥散指数β不仅不随温度变化,在250K也不随辐射能量变化,表明载流子的弥散过程由局域态之间的跳跃所主导.进一步实验表明局域态在250K时仍然表现出零维特性.

关键词: AlInGaN , 时间分辨 , 量子点 , 局域态

球磨法改善电学接触增强碳纳米管场发射性能

陈雷锋 , 宋航 , 蒋红 , 赵海峰 , 李志明 , 大兵

人工晶体学报

本文采用CNT与纳米银颗粒混合球磨的方法,改善了CNT与衬底电极的电学接触性能.并比较了球磨和电泳两种方法分别获得的CNT的场发射特性,结果表明:采用球磨法所获得的CNT场发射阴极的场发射性能远远优于电泳法.在球磨过程中,由于钢球、纳米银颗粒、CNT和衬底之间互相挤压,使CNT和银颗粒及衬底之间形成紧密牢固的接触,减少了界面的接触电阻,从而大大改善了界面的电学接触性能.而电泳沉积的CNT和衬底之间基本上是简单的物理附着力,接触电阻很大,而且由于这种作用力相对较弱,往往会导致发射体本身不稳定.球磨提供了一种改善电学接触的简单有效方法,并且适合于大规模生产CNT场发射冷阴极.

关键词: 碳纳米管 , 场发射 , 球磨 , 电泳 , 接触电阻

金属有机物气相外延生长InAlGaN薄膜及其性能表征

大兵 , 董逊 , 刘祥林 , 王晓晖 , 王占国

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.016

在不同的生长温度和载气的条件下,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜,通过能量色散谱(EDS),高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)对样品进行表征与分析,研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的影响.发现当以氮气做载气时,样品的发光很弱并且在550nm附近存在一个很宽的深能级发光峰;当采用氮气和氢气的混合气做载气时,样品中的深能级发光峰消失且发光强度明显提高.以混合气做载气,InAlGaN薄膜中铟的组分随生长温度的升高而降低,而薄膜的结构和光学性能却提高.结合PL和HRXRD的测试结果得到了较佳的生长参数:即载气为氢气和氮气的混合气以及生长温度在850℃到870℃.

关键词: InAlGaN四元合金 , 金属有机物气相外延 , 高分辨X射线衍射 , 光致发光

InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构

刘祥林 , 董逊 , 大兵

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.01.002

研究了用MOCVD方法生长InGaAlN四元合金材料的生长规律,发现生长温度在800~880 ℃, 其In组分随生长温度升高而降低. 用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质.光致发光谱表明InGaAlN的发光强度随温度衰减规律与InGaN类似,但比GaN慢,室温下比GaN的发光强度大1个数量级以上.时间分辨光谱表明,在InGaAlN中存在低维结构的铟聚集区--在没有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子盘的二维铟聚集区;而在有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子点的零维铟聚集区.

关键词: InGaAlN , 生长 , 光学性质 , 低维结构 , 铟聚集

开管热声振荡的主动控制研究

魏伟 , 唐豪杰 , 李东海 , 王京 , 朱民

工程热物理学报

本文以开管内的热声耦合振荡为研究对象,设计基于主动补偿的适应性控制器抑制开管内的不稳定燃烧。试验以扬声器为执行机构来改变开管的边界条件,从而抑制开管内的热声耦合振荡。实时控制效果表明,本文所采用的适应性控制算法能够有效抑制因热声耦合产生的燃烧振荡,为实际动力系统燃烧振荡抑制提供了思路。

关键词: 开管 , 热声耦合振荡 , 主动控制 , 适应性控制

开管中热声拍振现象及其主动控制

翁方龙 , 朱民 , 李东海

工程热物理学报

开管中燃烧振荡现象的实验研究发现,在不稳定发生的极限工况附近可能存在幅值周期性变化的振荡现象,也即拍振,其拍频可低于1 Hz.本文比较了铁丝网和穿孔陶瓷两种稳焰体对拍振发生的影响;通过时频分析揭示了拍振的声压脉动的主频随时间周期性变化的特征.采用基于数字信号处理器的控制系统,研究了对极限环和拍振的主动控制效果,实验结果表明,开管系统中导致拍振的非线性可能使得采用常规主动控制方法难以取得满意的控制效果.

关键词: 热声振荡 , 拍振 , 时频分析 , 主动控制

开管中燃烧振荡的非线性现象研究

翁方龙 , 朱民 , 李东海

工程热物理学报

本文探讨了开管系统中燃烧振荡的两类非线性现象—拍振和迟滞,通过改变燃料流量和当量比研究了这两类非线性现象的发生规律.实验发现拍振现象仅在热功率较小、当量比较低的条件下发生;迟滞现象在发生燃烧振荡的当量比上限附近较显著,而当量比下限附近不明显.对于燃烧振荡中的拍振现象,通过热声耦合分析,结合弥散模型和声波传播关系,反演得到了火焰传递函数(FTF),结果可为进一步分析与控制这类非线性振荡现象提供参考.

关键词: 燃烧振荡 , 拍振 , 迟滞 , 火焰传递函数

黎巴嫩的波里钢板桩码头牺牲阳极保护

王亚平 , 韩正权 , 方达经 , 黄俊 , 沈尔卜

腐蚀与防护

研究了黎巴嫩的波里钢板桩码头的牺牲阳极保护系统,解决了该海域码头不同区域中钢管桩与钢板桩的平均保护电流密度取值问题.通过现场试验发现,对于码头迎水面的平均保护电流密度值取0.060 A·m-2较为合适,码头回填区域的平均保护电流密度值取0.030 A· m-2较为合适,海泥区的平均保护电流密度值取0.025 A·m-2较为合适.

关键词: 钢管桩 , 钢板桩 , 码头 , 牺牲阳极 , 阴极保护 , 电流密度

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