孟兆祥
,
于广辉
,
叶好华
,
雷本亮
,
李存才
,
齐鸣
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.022
建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响,并对HVPE系统反应室的设计进行了优化.材料生长结果表明,厚度均匀性良好,直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660 arcsec.
关键词:
GaN
,
HVPE
,
流体动力学
王笑龙
,
于广辉
,
雷本亮
,
隋妍萍
,
孟胜
,
齐鸣
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.001
介绍了一种在氮化镓外延片表面制备得到孔径为纳米量级的多孔结构的工艺.用电化学方法制备出孔径为纳米量级的多孔阳极氧化铝模板作为掩模,经过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀制备得到纳米孔氮化镓材料.孔的大小和孔间距可以通过改变阳极氧化条件来控制,改变刻蚀时间可以控制孔深.刻蚀所用气体为氯气和惰性气体的混合物.扫描电镜照片显示,掩模图形能够很好地转移到GaN材料上.刻蚀后的材料经光荧光谱(PL Spectra)谱和Raman散射谱测试,显示出良好的光学特性,并在一定程度上释放了应力.
关键词:
氮化镓
,
纳米孔
,
阳极氧化铝
,
ICP刻蚀
,
Raman
徐安怀
,
陈晓杰
,
齐鸣
,
朱福英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.005
采用气态源分子束外延( GSMBE)技术,以四溴化碳( CBr4)作为碳杂质源,系统研究了 InP衬 底上碳掺杂 p型 InGaAs材料的外延生长及其特性,在 AsH3压力 5.33× 104Pa,生长温度 500℃条件 下获得了空穴浓度高达 1× 1020/cm3、室温迁移率为 45cm2/Vs的重碳掺杂 p型 In0.53Ga0.47As材料. 研究了 CBr4和 AsH3束流强度以及生长温度等生长条件对碳掺杂 InGaAs外延层组份、空穴浓度和 迁移率的影响,并对不同生长条件下的氢钝化效应进行了分析.
关键词:
分子束外延
,
碳掺杂
,
四溴化碳
,
InGaAs
,
异质结双极晶体管
赵智彪
,
齐鸣
,
朱福英
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.009
报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN).通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶衍射(XRD)ω扫描摇摆曲线的分析,讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系,确立了缓冲层的三维成核、准二维生长的生长机理,并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长,进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量.
关键词:
氮化镓
,
RF-Plasma分子束外延
,
原子力显微镜
,
X射线衍射分析
,
缓冲层
张雄
,
李爱珍
,
张永刚
,
郑燕兰
,
徐刚毅
,
齐鸣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.034
报道了可在室温下脉冲工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm 多量子阱脊波导半导体激光器.器件材料生长采用固态源分子束外延的方法,器件有源层采用应变补偿量子阱结构,激光器结构中引入了加宽波导的设计.制备的多量子阱激光器最高工作温度可达60 ℃,激射波长2.08 μm.室温下阈值电流为350 mA,20～50 ℃范围内特征温度为88 K.
关键词:
半导体激光器
,
分子束外延
田为中
,
钱蓉
,
喻筱静
,
齐鸣
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.019
在介电常数为2.20±0.02,厚度为254μm的Rogers5880衬底上用混合集成技术制作了9.5～10.5GHz平衡,I-Q矢量调制器.测试结果表明:各状态插入损耗为(7.5±1)dB,回波损耗大于16dB,均方根(RMS)相位误差小于5.,各状态之间的幅度不平衡小于0.5dB,可实现对9.5～10.5GHz载波信号的直接QPSK调制.文中还提出电路性能优化的一些方法.
关键词:
Rogers5880
,
I-Q矢量调制器
,
BPSK调制器
吴根柱
,
齐鸣
,
叙安怀
,
张永刚
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.023
采用金属银(Ag)做为高反射镀膜材料,ZrO2介质膜作为与激光器端面的绝缘层和 Ag保护膜,在激光器后腔面实现了高反射涂层.经激光器光电特性测试表明,该高反射膜系能使激光器输出功率提高 60%,阈值电流减小 20%～50%,并且具有良好的化学稳定性、热稳定性和机械强度,能有效保护半导体激光器后腔面.
关键词:
后腔面
,
反射率
,
高反射膜
,
半导体激光器
林玲
,
王伟
,
徐安怀
,
孙晓玮
,
齐鸣
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.014
对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜(AFM)、电子显微镜、台阶仪等分析了不同腐蚀条件下GaAs/InGaP异质界面的腐蚀形貌,找到了简单有效的办法,可获得很好的表面平整度,同时侧向腐蚀也较小.
关键词:
湿法腐蚀
,
GaAs
,
InGaP
,
柠檬酸
李爱珍
,
李华
,
李存才
,
胡建
,
唐雄心
,
齐鸣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.032
报道了气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs材料的晶体完整性,组分均匀性和表面缺陷密度.用Philips X-Pert′s 四晶衍射仪沿Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs样品的x轴和y轴以5 mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线,获得沿x轴和y轴方向的晶格失配度分布和组分涨落分布.结果表明,用GSMBE生长的Φ50 mm和Φ75 mm In0.49Ga0.51P与GaAs衬底的失配度分别为1×10-4和1×10-5,组分波动Φ50 mm沿x轴和y轴分别为±0.1%和±0.2%,Φ75 mm <±1%.表面缺陷密度在1×10～1×102 cm-2.
关键词:
InGaP
,
均匀性
,
气态源分子束外延
,
X射线双晶衍射
,
InGaP/GaAs
