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浸渍-裂解工艺对无压烧结制备六方氮化硼陶瓷性能的影响

王太保 , 陆聪 , 刘涛 , 金灿灿 , 王新木 , 穆宣琳 , 梁田 , 杨建 , 丘泰

人工晶体学报

以硼酸-尿素混合水溶液作为h-BN先驱体,对无压烧结制备的高纯h-BN陶瓷进行了浸渍-裂解-二次无压烧结处理,以提高其致密度和性能.研究了先驱体溶液浓度和循环次数对浸渍-裂解-烧结后h-BN陶瓷的显微结构及性能的影响.结果表明,随着先驱体溶液浓度的增大,h-BN陶瓷的密度、弯曲强度、断裂韧性和热导率均先升高后降低,浓度为68wt%时均达到最大.浓度过高会导致先驱体溶液在浸渍过程中发生析出,反而不利于浸渍.随着循环次数的增加,h-BN陶瓷的致密度、弯曲强度、断裂韧性及热导率均逐渐增大,但趋势逐渐变缓.循环6次得到的h-BN陶瓷的密度、弯曲强度、断裂韧性和热导率分别为1.465 g./cm3、84.1 MPa、1.52 MPa·m1/2、44.36 W·m-1·k-1,相对于未处理的h-BN陶瓷分别提高4.7%、31.6%、63.7%、31.2%.

关键词: 六方氮化硼 , 无压烧结 , 浸渍 , 先驱体 , 性能

二维晶体Ti2CTx MXene的制备、剥离及其电化学性能

张天 , 潘丽梅 , 唐欢 , 杜飞 , 李雪妍 , 杨晖 , 丘泰 , 杨建

人工晶体学报

以Ti2AlC粉为原料,采用HCl+LiF腐蚀剂一步腐蚀-插层制备出了Ti2CTx MXene,进一步通过超声处理得到了剥离的单层或少层的Ti2CTx MXene.研究了腐蚀温度对腐蚀效率和剥离率的影响.结果表明,提高腐蚀温度可显著提高Ti2AlC母相向Ti2CTx MXene的转化率,但由于腐蚀形成的Ti2C层表面氧化随之加重,故剥离率随腐蚀温度的升高呈先增大后减小的变化.40℃腐蚀得到的样品的剥离率最高为18%,对应的Ti2CTx纳米片悬浮液浓度约为0.36 mg/mL,Ti2CTx纳米片的厚度约为1 nm,无明显缺陷.剥离的Ti2CTx MXene用作锂离子电池负极表现出了较高的容量和良好的倍率性能.在100mA ·g-1、300 mA·g-1、1000 mA·g-1电流密度下稳定的放电比容量分别为352 mAh·g-1、245 mAh·g-1、169 mAh·g-1,是用HF工艺合成的Ti2CTx MXene的2倍.

关键词: MXene , Ti2CTx , 腐蚀 , 剥离 , 电化学性能

MgO-CeO2烧结助剂对高SiC含量SiC基复相陶瓷致密性与导热性能的影响

李鑫 , 李斌 , 李晓云 , 戴斌 , 冯永宝 , 杨建 , 丘泰

人工晶体学报

以MgO-CeO2为烧结助剂,采用热压烧结工艺在1850C制备了SiC含量为80wt%的SiC-AlN复相陶瓷.研究了不同助剂含量对复相陶瓷致密性与导热性能的影响.结果表明:适量的烧结助剂能够对SiC-AlN复相陶瓷起到促进烧结作用.烧结助剂含量为6wt%时,样品显气孔率偏大;当助剂含量提高至8wt%~14wt%时,样品显气孔率显著降低,能够完全烧结致密化.复相陶瓷在烧结助剂含量为1Owt%时获得最佳的致密性,其显气孔率仅为0.14%.在烧结助剂含量为8wt%时,样品具有最高的热导率51.72 W·m-1·K-1.复相陶瓷的热导率主要受样品致密性和晶界相的影响,不足或过量的烧结助剂都会使样品的热导率降低.

关键词: 碳化硅-氮化铝 , 热压烧结 , 致密性 , 导热性能

Y2O3-SiO2助剂对常压烧结SiC-AlN复相材料烧结性能的影响

陈云 , 李晓云 , 王玉春 , 冯永宝 , 戴斌 , 丘泰 , 孙悦

人工晶体学报

SiC∶AlN以质量比1∶1,添加不同质量分数Y2O3-SiO2(摩尔比为2.9∶7.1)复合烧结助剂,分别在氢气和氩气气氛下常压烧结制备SiC-A1N复相材料.研究烧结气氛、烧成温度和Y2O3-SiO2含量对该复相材料烧结性能的影响.结果表明,与氢气气氛相比,氩气气氛下烧结体更易致密;1650 ~1850℃,随着烧结温度升高,烧结致密性明显提高.氩气气氛1850C下保温1h,Y2O3-SiO2复合助剂含量为9.09wt%,烧结体的显气孔率可低于0.15%,晶粒尺寸均匀且连接紧密.烧结过程中,Y2O3、SiO2烧结助剂与AlN表面的Al2O3在一定温度下形成液相有助于样品致密化.Y2O3与AlN表面的Al2O3反应生成钇铝石榴石(Y3Al5O12),SiO2高温下主要形成玻璃相.SiC-AlN复相材料是由主晶相6H-SiC和AlN,次晶相Y3Al5O12组成.

关键词: 碳化硅-氮化铝 , 常压烧结 , 烧结气氛 , 致密性

SiCW对Al2O3基陶瓷浓悬浮体流变性能的影响

焦宝祥 , 丘泰 , 沈春英 , 徐洁

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2004.01.005

研究了SiCW加入至Al2O3基体中注凝成型料浆的流变特性.研究结果表明:该体系表现出剪切增厚的胀流型流变特性.料浆流变性能与SiCW掺量、SiCW平均长度和SiCW与浆料的混合时间有关;但随着SiCW掺量的增加,剪切应力迅速增加,系统出现中断剪切现象;为了改善含SiCW料浆的流变性能,通过在晶须表面覆盖了一层钛酸酯的憎水膜,降低了料浆的表观粘度和剪切应力,并相应提高了晶须的掺量.

关键词: 注凝成型 , 晶须 , 流变性 , 胀流型

激光熔覆稀土陶瓷涂层进展

钱九红 , 李喜坤 , 邱关明 , 丘泰 , 赵海涛 , 于洪浩

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2006.02.019

综述了激光熔覆稀土陶瓷涂层研究现状及其最新进展.介绍了激光熔覆工艺特点和影响因素,激光熔覆工艺包括粉末材料的加入方法和激光辐照加工.加入方法分预置法和同步送粉法,工艺参数包括光斑尺寸、扫描速度、熔覆道次、送粉量、涂层厚度和搭接量等.研究认为正确选择工艺参数是保证熔覆层质量和性能的关键.总结了稀土添加剂的强化作用机制,其主要作用为微合金化、净化晶界、细化晶粒、改善晶界状态、抑制柱状晶生长.对激光熔覆稀土陶瓷涂层研究的发展进行了展望.

关键词: 材料表面与界面 , 激光熔覆 , 陶瓷涂层 , 稀土

高性能阴极基体用超细钨粉的制备

沈春英 , 丘泰 , 宋涛 , 韩煜娴 , 王玉春

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.05.011

采用反向滴加沉淀法、微乳法和溶胶-凝胶法3种液相方法合成超细WO3,然后将超细WO3在高纯氢气氛中还原成超细钨粉.XRD, SEM和数学统计分布软件结果分析表明,溶胶-凝胶法得到立方相钨粉,颗粒大小均匀且具有良好的球形度,平均粒径约为200 nm,满足高性能阴极基体的要求.微乳法制备的钨粉形貌为片状,不适合作阴极基体的原始粉料.

关键词: 反向滴加沉淀法 , 微乳法 , 溶胶凝胶法 , 阴极基体 , 超细钨粉

用于凝胶注模成型的Mg0.7Zn0.3TiO3浆料的流变性研究

陈玉君 , 刘昊 , 沈春英 , 丘泰

人工晶体学报

采用固相反应法合成Mg0.7Zn0.3TiO3(M7Z3T)粉体作为凝胶注模成型的原料,研究了分散剂(PAA-NH4)加入量、pH值、固相含量、单体(AM)浓度和单体与交联剂(MBAM)质量比对浆料流变性的影响.结果表明:当浆料pH值为10,分散剂(PAA-NH4)加入量为0.7wt%时,固相含量为52vol%,M7Z3T浆料的起始粘度为0.459Pa·s.预混液中单体含量为10wt%,交联剂与单体质量比为20∶1,引发剂(APS)加入量为1wt%,固化温度为60℃的条件下,采用凝胶注模成型制备出了抗弯强度为24.47 MPa的M723T生坯.

关键词: 流变性 , 凝胶注模成型 , M7Z3T , 抗弯强度

DMAA凝胶体系凝胶注模成型超细ZrO2陶瓷

许海仙 , 丘泰 , 杨建 , 郭坚

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01105

为了降低传统丙烯酰胺(AM)/ N,N-亚甲基双丙烯酰胺(MBAM)凝胶体系的毒性, 制备高固相量、低粘度的超细ZrO2(D50=0.19um)浆料及高性能的生坯和陶瓷, 研究了低毒的N, N-二甲基丙烯酰胺(DMAA) /MBAM凝胶固化工艺及pH值和聚甲基丙烯酸铵(NH4PMAA)分散剂对浆料流变性的影响. 最终采用低粘度、高固相量、低毒性的浆料制备了性能优异的生坯和陶瓷. 浆料的固相量高达56vol%, 生坯表面光洁、不起皮、不开裂, 强度接近30MPa, 其内部颗粒结合紧密, 孔径呈单峰分布, ZrO2陶瓷的抗弯强度及断裂韧性分别为960MPa和17.3MPa.m1/2, 其结构均匀、致密性好、四方相ZrO2含量高.

关键词: 凝胶注模成型 , ZrO2 , DMAA , low-toxicity monomer

Bi掺杂对Ba6-3xLa8+2x(Ti0.95Zr0.05)18O54(x=2/3)陶瓷的烧结性能和介电性能的影响

高旭芳 , 丘泰

中国有色金属学报

采用传统固相反应法制备Ba6-3x(La1-mBim)8+2x(Ti0.95Zr0.05)18O54(x=2/3)微波介质陶瓷,研究Bi掺杂对Ba6-3xLa8+2x(Ti0.95Zr0.05)18O54(x=2/3)陶瓷的烧结性能、微观结构以及介电性能的影响.结果表明:当0<m<0.4时,Bi3+取代A1位的La3+生成单相类钨青铜型固溶体;当Bi3+的掺杂量超过这个范围时,La0.176Bi0.824O1.5作为第二相出现在固溶体中;Bi3+的掺入使Ba6-3xLa8+2x(Ti0.95Zr0.05)18O54(x=2/3)陶瓷的烧结温度从1 400 ℃降低到1 300 ℃,同时,其介电常数大幅度提高,谐振频率温度系数减小,但品质因数急剧减小;当m=0.05时,1 350 ℃下保温2 h烧结获得的陶瓷具有微波介电性能,εr=88.63,Q·f=4 395 GHz,τf=6.25×10-6/℃.

关键词: 介电性能 , Bi掺杂 , 微波介质陶瓷 , 类钨青铜结构

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