欢迎登录材料期刊网
王武育 , 孙平 , 代桂君
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.01.020
分析了氟化镁单晶体与多晶体成膜过程的行为，得出了二者不同的聚集方式是造成薄膜耐磨性差异的原因这一结论。给出了改善单晶氟化镁耐磨性的最佳退火条件：350℃退火 2 h。
关键词: 氟化镁 , 薄膜 , 耐磨性
