刘宜华
,
张汝贞
,
王成建
,
黄宝歆
,
代由勇
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原晓波
,
梅良模
功能材料
在La0.67Ca0.33MnO3和La0.67Ba0.33MnO3中用Dy对La进行了置换研究,结果发现,随掺Dy量的增加,两类材料的居里温度和金属-绝缘体相变温度单调下降,峰值电阻率单调增加.在Ca系样品中,掺入13%的Dy后,在5T的磁场下,最大磁电阻比达到7900%.在Ba系样品中,掺Dy对磁电阻的影响要小得多.掺Dy对材料性质的影响可以用晶格效应来解释,但晶格效应产生的作用与碱土离子的品种有明显关系.
关键词:
稀土掺杂锰氧化物
,
庞磁电阻
,
晶格效应
代由勇
,
刘宜华
,
萧淑琴
,
张林
,
吴厚政
,
张延忠
金属学报
用射频溅射法制备了Cu夹层的Fe-Cu-Cr-V Si-B三明治膜,在不同条件下对样品进行了退火处理,在最佳退火条件下,样品的软磁特性得到明显改善,从而获得了优良的巨磁阻抗(GMI)效应.研究了GMI效应与交变电流频率f和外加直流磁场H关系在5 MHz的特征频率下,最大的横向阻抗比△ZH/Zm达91%.由于样品的三明治结构,横向磁阻抗比明显优于纵向.
关键词:
磁性薄膜
,
null
,
null
吴厚政
,
刘宜华
,
代由勇
,
张林
,
萧淑琴
金属学报
本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗(GMI)效应的影响样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800 kHz的交变电流频率下,得到了236%的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
null
吴厚政
,
刘宜华
,
张林
,
萧淑琴
,
代由勇
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.09.020
研究了Co-Fe-Ni-Nb-Si-B非晶软磁合金薄带的磁性和巨磁阻抗(GMI)效应.样品在350℃下退火60 min后获得了最佳的软磁特性,并表现出优良的GMI效应.在1.4 MHz的交变电流频率下,获得了最大的GMI效应,磁阻抗比△Z/Zs=(Zo-Zs)/Zs最高可达192%.在低频下得到了显著的巨磁电感效应,在100 kHz下,磁电感比达到769%.在高频下,材料表现出优良的巨磁电阻效应,在13 MHz下,磁电阻比达到383%.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
非晶态软磁合金薄带
,
趋肤效应
代由勇
,
刘宜华
,
萧淑琴
,
张林
,
吴厚政
,
张延忠
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.03.012
用射频溅射法制备了Cu夹层的Fe-Cu-Cr-V Si-B三明治膜,在不同条件下对样品进行了退火处理,在最佳退火条件下,样品的软磁特性得到明显改善,从而获得了优良的巨磁阻抗(GMI)效应.研究了GMI效应与交变电流频率f和外加直流磁场H关系在5 MHz的特征频率下,最大的横向阻抗比△ZH/Zm达91%.由于样品的三明治结构,横向磁阻抗比明显优于纵向.
关键词:
磁性薄膜
,
巨磁阻抗
,
趋肤效应
吴厚政
,
刘宜华
,
代由勇
,
张林
,
萧淑琴
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.10.016
本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗(GMI)效应的影响样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800 kHz的交变电流频率下,得到了236%的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
非晶态软磁钴基合金薄带
,
趋肤效应
张林
,
代由勇
,
原晓波
功能材料
研究了射频溅射法制备的纳米"铁磁金属一半导体基体"Fex(ZnSe)1-x颗粒膜的光学特性.透射光谱测量结果表明,当Fe体积分数为35%时,颗粒膜样品的可见光透过率达到50%以上.研究发现,在ZnSe薄膜基体中嵌入纳米铁颗粒的Fe-ZnSe颗粒膜中,电子的带间跃迁为直接跃迁,其带隙随着Fe在颗粒膜中所占体积分数的增加而变宽.
关键词:
纳米金属颗粒膜
,
透射光谱
,
直接跃迁
