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溶胶-凝胶法与射频磁控溅射法制备ZnO薄膜及其表征对比

任思雨 , 王英连 , 孙汪典 , 刘玉华

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2004.11.012

分别对溶胶-凝胶法和磁控溅射法制备ZnO进行了详细的介绍,并借助X射线衍射、原子力显微镜、拉曼光谱分析、紫外吸收等检测手段对这两种方法生长的薄膜进行了分析比较.分析显示:相同石英基底,相同退火温度下生长ZnO薄膜,磁控溅射法生长的ZnO薄膜要比溶胶-凝胶法生长的ZnO薄膜有更优异的c轴取向特性,生长的薄膜结晶更加均匀、致密.

关键词: ZnO薄膜 , 溶胶-凝胶 , 磁控溅射

磁控溅射法制备TiO2空穴缓冲层的有机发光器件

仲飞 , 刘彭义 , 任思雨

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.04.014

采用磁控溅射方法在ITO表面制备了不同厚度的TiO2超薄膜用做有机发光二极管(OLEDs)的空穴缓冲层,使OLEDs (ITO/ TiO2/ TPD/ Alq3 / Al)的发光性能得到很大改善.研究TiO2缓冲层厚度对器件性能影响的结果表明,当TiO2缓冲层厚度为1 nm,电流密度为100 mA/cm2时,器件的发光效率为2 cd/A,比未加缓冲层器件的发光效率增加了近一倍.这是由于加入适当厚度的TiO2缓冲层限制了空穴的注入并且提高了空穴与电子注入之间的平衡.

关键词: TiO2超薄膜 , 磁控溅射 , 有机发光二极管 , 空穴缓冲层

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