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低压沉积温度对MoSi2涂层微观结构与性能影响

吴恒 , 李贺军 , 王永杰 , 付前刚 , 何子博 , 魏建锋

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00392

以SiCl4和H2为原料,采用低压化学气相沉积(LPCVD)渗硅法在Mo基体表面原位反应制备了MoSi2涂层,研究了沉积温度对MoSi2涂层微观形貌、物相组成、沉积速率、涂层的硬度、涂层与基体结合强度的影响. 研究结果表明:在1100~1200℃下制备的涂层结构致密,由单一MoSi2组成,沉积速率、涂层的硬度以及与基体的结合强度均表现为増加的趋势;当沉积温度高于1200℃,涂层出现开裂现象,由游离Si和MoSi2两相组成,涂层沉积速率、硬度和结合强度均出现下降的趋势. 1100℃以下沉积的主要控制步骤为Si与Mo反应,而1100℃以上Si在涂层中的扩散对沉积过程起控制作用.

关键词: LPCVD , MoSi2 coatings , microstructures , properties , deposition temperature

LPCVD法制备SiC-MoSi2涂层的形貌及沉积机理研究

何子博 , 李贺军 , 史小红 , 付前刚 , 吴恒

材料导报

为提高碳/碳复合材料抗氧化性能,以甲基三氯硅烷(MTS)为先驱体,利用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在碳/碳复合材料表面制备SiC-MoSi2涂层,通过XRD和SEM分析了不同沉积温度下涂层结构、物相组成及其沉积机理.结果表明,沉积温度对涂层的成分、结构及致密度有较大影响,在1100~1250℃均可成功得到SiC- MoSi2涂层,1100℃所得涂层结构疏松多孔;1250℃制备的涂层中间部位孔隙较多,表层为致密SiC涂层;1150~1200℃之间可得到均匀致密、以MoSi2颗粒为分散相、以CVD-SiC为连续相的SiC-MoSi2双相陶瓷涂层.

关键词: 低压化学气相沉积 , SiC-MoSi2 , 双相陶瓷涂层 , 沉积温度 , 沉积机理

聚碳酸酯镜片表面沉积类金刚石耐磨涂层

苏葆辉 , 何子博 , 冉均国 , 苟立 , 王方瑚

稀有金属材料与工程

采用射频辉光放电等离子体化学气相沉积(RF-PCVD)法在聚碳酸酯(PC)表面沉积类金刚石(DLC)薄膜.研究了功率、气体浓度和沉积时间等条件对薄膜性能的影响,优化了工艺条件;用X射线光电子能谱测定了薄膜的组成;评价了薄膜的耐磨性能和附着性能.结果表明:PC镜片表面沉积附着性好的DLC薄膜能提高材料表面的耐磨性能.

关键词: 聚碳酸脂 , 等离子体化学气相沉积 , 类金刚石膜 , 耐磨性能

聚碳酸脂镜片上沉积类金刚石薄膜耐磨性的研究

何子博 , 陈显春 , 苏葆辉 , 冉均国 , 苟立

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2006.02.025

针对树脂镜片耐磨性较差的问题,在聚碳酸脂(PC)镜片上采用射频辉光放电等离子体(RF-PECVD)设备沉积类金刚石(DLC)薄膜来提高耐磨性,研究了沉积工艺条件对PC基体镀类金刚石(DLC)薄膜耐磨性的影响.摩擦磨损试验、显微硬度检测评价的结果表明:在PC镜片上沉积DLC薄膜后其耐磨性有很大提高,磨损率从12.5μg/m降低到5.7μg/m,摩擦系数由0.6降到0.22,硬度提高35.7%,并获得较佳的工艺参数.

关键词: 聚碳酸脂 , DLC , 耐磨损性

树脂镜片抗磨加硬膜层的研究进展

何子博 , 苏葆辉 , 冉均国 , 苟立

材料导报

树脂光学镜片以其优异的性能逐步取代玻璃镜片,占据了国内外大部分市场,但由于硬度低,耐磨损性差,所以使用寿命较短.研究发现在其表面镀制抗磨加硬膜可显著提高耐磨损性.综述了国内外近年来在树脂镜片上涂镀有机硅、石英等抗磨加硬膜的制备方法和性能研究进展,并介绍了在树脂镜片上沉积新型类金刚石(DLC)抗磨加硬膜的研究现状及发展前景.

关键词: 树脂镜片 , 耐磨损性 , 抗磨加硬膜 , 类金刚石

低压沉积温度对MoSi2涂层微观结构与性能影响

吴恒 , 李贺军 , 王永杰 , 付前刚 , 何子博 , 魏建锋

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00392

以SiCl4和H2为原料,采用低压化学气相沉积(LPCVD)渗硅法在Mo基体表面原位反应制备了MoSi2涂层,研究了沉积温度对MoSi2涂层微观形貌、物相组成、沉积速率、涂层的硬度、涂层与基体结合强度的影响.研究结果表明:在1100~1200℃下制备的涂层结构致密,由单一MoSi2组成,沉积速率、涂层的硬度以及与基体的结合强度均表现为増加的趋势;当沉积温度高于1200℃,涂层出现开裂现象,由游离Si和MoSi2两相组成,涂层沉积速率、硬度和结合强度均出现下降的趋势.1100℃以下沉积的主要控制步骤为Si与Mo反应,而1100℃以上Si在涂层中的扩散对沉积过程起控制作用.

关键词: LPCVD , MoSi2涂层 , 微观结构 , 性能 , 沉积温度

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