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多晶硅太阳电池双层SiNx镀膜工艺研究

周艺 , 欧衍聪 , 郭长春 , 肖斌 , 何文红 , 黄岳文 , 金井升

材料导报

采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析.结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多晶硅的表面反射率,其电性能明显提高,中短路电流提高了100mA,光电转换效率提高了1.34%.

关键词: 多晶硅太阳电池 , PECVD , 双层SiNx膜

PECVD工艺参数对双层SiNx薄膜性能的影响

周艺 , 欧衍聪 , 郭长春 , 肖斌 , 何文红 , 胡旭尧

材料科学与工程学报

采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiN;薄膜,研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响,并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现:衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均有重要影响,且优化工艺后的双层SiNx薄膜能有效提高多晶硅太阳电池光电性能。

关键词: 双层SiNx , 减反膜 , 工艺参数 , 薄膜性能

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