周艺
,
欧衍聪
,
郭长春
,
肖斌
,
何文红
,
黄岳文
,
金井升
材料导报
采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析.结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多晶硅的表面反射率,其电性能明显提高,中短路电流提高了100mA,光电转换效率提高了1.34%.
关键词:
多晶硅太阳电池
,
PECVD
,
双层SiNx膜
周艺
,
欧衍聪
,
郭长春
,
肖斌
,
何文红
,
胡旭尧
材料科学与工程学报
采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiN;薄膜,研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响,并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现:衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均有重要影响,且优化工艺后的双层SiNx薄膜能有效提高多晶硅太阳电池光电性能。
关键词:
双层SiNx
,
减反膜
,
工艺参数
,
薄膜性能