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各向异性静态随机存储器中的多位翻转分析研究

张战刚 , 刘杰 , 侯明东 , 孙友梅 , 苏弘 , 耿超 , 姚会军 , 罗捷 , 段敬来 , 莫丹 , 古松 , 刘天奇 , 习凯 , 翟鹏飞 , 曹殿亮

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.02.195

重离子实验结果表明,具有高线性能量转移(LET)或大角度入射的快重离子导致静态随机存储器(SRAM)中的多位翻转(MBU)比例增大,甚至超过单位翻转比例。单个离子径迹中的电荷可以沿着径向扩散数个微米,被临近的灵敏区收集后引起MBU。器件灵敏区的各向异性空间布局与离子入射方向共同影响测试器件的MBU图形特征。位线接触点的纵向隔离导致横向型成为主要的两位翻转图形;“L”型和“田”型分别是主要的三位翻转和四位翻转图形。最后,对SRAM抗MBU加固设计和实验验证方法进行了讨论。

关键词: 单粒子效应 , 静态随机存储器 , 各向异性布局 , 多位翻转

25 MeV/u Kr辐照下PET薄膜的损伤机制研究

彭书赋 , 孙友梅 , 罗捷 , 常海龙 , 刘杰 , 侯明东 , 段敬来 , 姚会军 , 莫丹 , 张苓 , 尹经敏 , 陈艳峰 , 翟鹏飞 , 曹殿亮

原子核物理评论

通过25 MeV/u ~(86)Kr离子辐照叠层结晶聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET),在不同的电子能损(3.40-7.25 keV/nm)和离子注量(5×10~(11)-3×10~(12) ions/cm~2)辐照条件下,对Kr离子在PET中引起的辐照损伤效应进行了研究.借助傅里叶变换红外光谱分析,通过对样品的红外吸收峰进行扣除基底后的Lorentz拟合,分析了与主要官能团对应的吸收峰强度的变化趋势,研究了化学结构与组分在重离子辐照下的变化规律;利用X射线衍射光谱仪测量,研究了Kr离子在PET潜径迹中引起的非晶化过程,并通过对吸光度和非晶化强度随离子注量的指数衰减规律的分析,获得了不同电子能损离子辐照PET时主要官能团的损伤截面和非晶化截面及对应的潜径迹半径.

关键词: 聚对苯二甲酸乙二醇酯膜 , 快重离子辐照 , 辐照损伤

快重离子辐照对MoS2热导率的影响研究

郭航 , 孙友梅 , 刘杰 , 翟鹏飞 , 曾健 , 张胜霞 , 胡培培 , 段敬来 , 姚会军 , 莫丹 , 侯明东

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.34.02.226

利用0.97 GeV的209Bi离子辐照二硫化钼(MoS2)晶体,辐照注量范围为1×1010~1×1012 ions/cm2,结合原子力显微镜(AFM)观测和Raman光谱分析研究了快重离子辐照对MoS2热导率的影响.实验结果显示,快重离子辐照在MoS2中产生了潜径迹,较高激光功率下的Raman测试使样品局部温度升高,导致E 12g和A1g峰随注量增加向低波数方向移动,且峰形展宽.引入了通过改变激光功率测量Raman光谱得到MoS2热导率的计算方法,获得了不同辐照注量下MoS2的热导率的定量分析结果,随注量增加,热导率不断降低,从未辐照样品的563 W/mK下降到1×1012 ions/cm2辐照时的132 W/mK.

关键词: 二硫化钼 , 辐照 , 热导率

35 MeV/u Ar离子辐照聚酯膜引起的效应研究

刘昌龙 , 朱智勇 , 金运范 , 王衍斌 , 孙友梅 , 侯明东 , 王志光 , 刘杰 , 陈晓曦 , 张崇宏

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2000.04.011

采用多种手段研究了35 MeV/u的Ar离子辐照聚酯(PET)膜产生的微观结构变化.结果表明,辐照使聚酯的化学键断裂并产生了炔端不饱和基团和自由基.断键主要发生在乙二醇残留物、苯环的对位和酯的C-O键上.随着吸收剂量的增加,材料的结晶度逐渐降低,由原始的41.7%减至最高辐照量时的15.0%.研究发现,聚脂的非晶化转变截面与电子能损呈线性关系;断键和非晶化效应主要取决于样品的吸收剂量,并存在一个约4.0 MGy的阈值.

关键词: 高能Ar离子辐照 , 聚酯 , 断键 , 非晶化效应

高能质子引起器件单粒子效应的研究方法

刘杰 , 侯明东 , 张庆祥 , 甑红楼 , 孙友梅 , 刘昌龙 , 王志光 , 朱智勇 , 金运范

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.04.010

简略介绍了高能质子在半导体芯片中引起单粒子效应的实验测量和理论分析方法, 包括核反应分析方法、半经验方法, 介绍了质子和重离子翻转截面间的关系, 并用重离子实验数据预测器件在质子环境下的翻转率.

关键词: 单粒子效应 , 质子 , 半导体器件

快重离子在固体材料中的强电子激发效应

金运范 , 王志光 , 孙友梅 , 朱智勇 , 刘昌龙 , 刘杰 , 张崇宏 , 侯明东

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2006.02.021

简要介绍了快重离子在固体材料中强电子激发效应的基本特点、研究现状和在HIRFL上获得的部分实验结果, 并对今后的研究工作进行了展望.

关键词: 强电子激发效应 , 固体材料 , 快重离子

电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究

薛智浩 , 孙友梅 , 常海龙 , 刘杰 , 侯明东 , 姚会军 , 莫丹 , 陈艳峰

原子核物理评论

对用电化学方法制备Si大孔阵列管坑工艺进行了初步探索. 通过对Si在KOH溶液中各向异性湿法蚀刻和在HF酸溶液中的电化学蚀刻过程中各种参数的摸索,确定在室温下制备大孔阵列的最佳配比浓度,蚀刻出符合要求的管坑阵列,为进一步制备结构化闪烁屏奠定了实验基础.

关键词: 各向异性蚀刻 , 微孔阵列 , 电化学蚀刻

Geant4模拟δ电子对单粒子翻转的影响

刘建德 , 孙友梅 , 刘杰 , 侯明东 , 张战刚 , 段敬来 , 姚会军 , 翟鹏飞

原子核物理评论

利用Geant4蒙特卡洛程序包,基于RPP(Rectangular ParallelePiped Volume)模型构建SRAM器件单元的灵敏体积,编写了重离子在器件材料中的输运程序和单粒子翻转截面计算方法,得到了简化器件结构的单粒子翻转截面σ与线性能量转移LET的关系曲线,计算得到的翻转LET阈值和饱和截面与实验结果基本一致。模拟获得了LET值为99.69MeV/(cm-2.mg)的Bi离子及LET值为69MeV/(cm-2.mg)的Bi离子和Xe离子在器件材料中产生的δ电子分布图像,讨论了δ电子分布对翻转截面的影响。计算了灵敏体积中能量沉积与δ电子分布的关系,认为δ电子分布对单粒子效应的影响随着器件的特征尺寸减小将更加严重。

关键词: Geant4 , RPP模型 , 灵敏体积 , 单粒子翻转 , δ电子

重离子产生δ电子对SRAM单粒子翻转的影响

习凯 , 刘杰 , 张战刚 , 耿超 , 刘建德 , 古松 , 刘天奇 , 侯明东 , 孙友梅

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.01.081

随着微电子器件集成度增加,由入射离子在器件灵敏区内引起的δ电子分布对器件单粒子效应的影响越来越显著;尤其是它极易引发多位翻转,严重影响设计加固的有效性。首先利用蒙特卡罗软件包Geant4模拟得到重离子在器件灵敏区内产生的δ电子分布,分析得出以下规律:入射离子单核能越高,其产生δ电子分布的径向范围越大;单核能相同的不同种离子,原子序数越大其产生的δ电子密度越大。其次,通过模拟一款45 nm 静态随机存储器的单粒子翻转效应,说明δ电子和灵敏区分布共同影响器件的多位翻转。当器件灵敏区间距一定时,多位翻转率随入射离子能量的升高先上升后下降;在多位翻转率峰值和布喇格峰之间,多位翻转率随入射离子线性能量传输(LET)值的升高而降低,在该区域两侧多位翻转率随离子LET值的升高而升高。

关键词: 单粒子效应 , δ电子分布 , 多位翻转 , Geant4

PPAC在单粒子效应地面模拟实验中对束流均匀度测量的应用

蒋冬舜 , 孙友梅 , 马朋 , 段敬来 , 刘杰 , 耿超 , 侯明东 , 姚会军 , 罗捷

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.04.522

单粒子效应(SEE)加速器地面模拟需要离子束具有较好的均匀度,针对回旋加速器单粒子效应模拟的束流特点,建立了一套以位置灵敏平行板雪崩探测器(Parallel Plate Avalanche Counter, PPAC)为基础的均匀度探测系统并完成了带束测试,对它的结构、工作原理、均匀度获得方法及带束测试结果进行描述。为验证PPAC测量结果准确性,在带束测试过程中,前方同时放置PET膜测量穿过PPAC探测器的粒子分布,与离子径迹测量结果对比,给出PPAC的均匀度的测量误差在5%之内。探测器具有50 mm×50 mm的灵敏面积和小于1 mm的位置分辨,符合单粒子效应实验对束流均匀度测量的要求。

关键词: PPAC , 单粒子效应 , 地面模拟 , 束流均匀度 , 固体径迹探测器

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