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离子束沉积技术室温生长Si/Ge薄膜的晶化研究

杨宇 , 陈刚 , 邓书康 , 高立刚 , 刘焕林 , 吴国元 , 俞帆 , 陈长青 , 陈亮 , 郝瑞亭

功能材料

研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的.本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉曼散射实验表征.研究表明:Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化,当Ge厚度略小于Si薄层厚时,获得最佳的Si室温晶化效果.

关键词: Si/Ge多层膜 , 离子束外延 , XRD , Raman散射

离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究

邓书康 , 陈刚 , 高立刚 , 陈亮 , 俞帆 , 方静华 , 杨宇

功能材料

用离子束溅射法制备了不同衬底温度的非晶硅(a-Si)薄膜,用双四探针法测量了不同温度下的电阻率,用喇曼散射及原子力显微镜表征了薄膜显微结构.结果发现随着衬底温度的升高,薄膜的电阻率逐渐增大,衬底温度为室温的a-Si薄膜质量较好且从其表面形貌可观察到少量Si晶粒的存在.

关键词: 离子束溅射 , 非晶硅 , 喇曼散射 , 电阳率

磁控溅射Ge薄膜的结晶特性研究

高立刚 , 陈刚 , 邓书康 , 陈亮 , 阚家德 , 俞帆 , 杨宇

功能材料

采用直流磁控溅射技术制备了不同衬底温度下的Ge单层膜,XRD分析结果表明,当衬底温度低于350℃时Ge膜为非晶结构,高于400℃时开始结晶.并研究了不同尺寸Ge颗粒的Ramah散射谱特征,与晶体Ge的散射谱相比,观察到纳米Ge颗粒Raman散射谱的峰位红移与峰形宽化现象;并根据Raman谱的红移量计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸,采用声子限域理论较好地解释了实验结果.

关键词: Ge薄膜 , XRD , Raman散射光谱 , 晶粒尺寸 , 声子限域理论

离子束溅射制备Si/Ge多层膜的结晶研究

邓书康 , 陈刚 , 高立刚 , 陈亮 , 俞帆 , 刘焕林 , 杨宇

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.020

采用离子束溅射制备Si/Ge多层膜,通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度,用Raman光谱对Si/Ge多层膜的微观结构及Si子层的结构进行表征.结果表明,所制备的Si/Ge多层膜中,当Ge子层的厚度为6.2nm时,Si子层的结晶质量较好,表明适量的Ge含量有诱导Si结晶的作用.

关键词: Si/Ge多层膜 , 离子束溅射 , 拉曼光谱

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