闫丹
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吴平
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邱宏
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俞必强
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赵云清
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张师平
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吕反修
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.011
采用射频磁控溅射法在氧氩比为0.2的混合气氛中,分别在室温、100℃、200℃、250℃、300℃、350℃和400℃温度下,在P-Si(100)衬底上制备了HfO2薄膜,并用SEM、XRD和AFM研究了衬底温度与薄膜沉积速率对微结构的影响.结果表明:随着衬底温度的增加,薄膜沉积速率呈减小趋势.室温沉积的HfO2薄膜为非晶态,当衬底温度高于100℃,薄膜出现单斜晶相,随着衬底温度继续增加,(111)择优取向更加明显,晶粒尺寸增大,薄膜表面粗糙度减小.
关键词:
射频磁控溅射
,
HfO2薄膜
,
衬底温度
,
微观结构
