冒国兵
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孙宇峰
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张光胜
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刘琪
稀有金属材料与工程
以碱式碳酸镍为主盐,NaH2PO2为还原剂,在铸态AM60B镁合金上化学镀镍.采用X射线衍射仪(XRD)、显微硬度计、金相显微镜及电化学工作站等,研究了pH值对镁合金化学镀镍的影响.结果表明:pH值由6.0增加到7.0,镀层镀速增加.3种pH值下沉积的镀层都为胞状结构,且pH值为6.5时,颗粒最小且致密均匀.pH值由6.0增加到7.0,得到的镀层磷含量降低,且显微硬度降低,pH值为6.0时镀层硬度HV最高达到5400 MPa.3种pH值下都能得到完整的化学镀镍层,镍的主峰比较宽,第2及第3强峰基本没出现.耐蚀性试验结果表明,pH为6.5时得到的镀镍层耐蚀性最好,自腐蚀电位最高为-0.90 V.
关键词:
AM60B镁合金
,
pH值
,
化学镀镍
冒国兵
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孙宇峰
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张光胜
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刘琪
材料热处理学报
研究了添加不同含量的锶(Sr)及同溶处理(T4)对AM50镁合金显微组织和高温(150℃)拉伸性能的影响.结果表明:当Sr加入量为0.7 wt%和1.4 wt%时,AM50合金中形成了层片状的Al4Sr新相,而Mg17Al12相被抑制形成,固溶处理使Al4Sr相由层片状转变为颗粒状.当Sr加入量为2.8 wt%和3.5 wt%时,AM50合金中形成了骨骼状的Sr5Al9新相,固溶处理使热稳定性较高的Sr5Al9相由骨骼状向层片状和颗粒状转变.加入Sr能细化晶粒并显著提高合金在150℃下的拉伸性能,固溶处理明显提高了AM50-2.8Sr和AM50-3.5Sr合金高温下的抗拉强度,但对AM50-0.7Sr和AM50-1.4Sr合金高温拉伸性能影响较小.
关键词:
AM50镁合金
,
锶合金化
,
固溶处理
,
显微组织
,
高温力学性能
刘琪
,
冒国兵
,
万兵
,
敖建平
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2007.01.016
在Mo基底上,采用恒电位法从含有CuCl2、InCl3、GaCl3、H2SeO3、柠檬酸的水溶液中电沉积制备Cu(In,Ga)Se2薄膜,用HCl调节pH值为2.5,并对沉积薄膜400℃左右Ar气氛中退火20 min.对退火前后的膜进行X射线衍射,扫描电镜和能谱分析仪分析,结果表明,电沉积制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜为黄铜矿结构,退火后,共沉积薄膜的结晶度提高,晶粒尺寸增加,Se含量减少.
关键词:
电沉积
,
退火
,
CIGS薄膜
,
太阳电池
刘琪
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冒国兵
,
敖建平
功能材料
采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,通过XRD、XRF、SEM和光学透过率谱等测试手段研究了沉积时间对CdS薄膜沉积过程和性质的影响.结果表明,随着沉积时间的增加,薄膜增厚;S/Cd原子比增加,但都为富Cd的CdS薄膜;XRD研究表明,薄膜结构由立方、六方混合相向立方相转变,(111)方向成为择优生长方向;SEM研究表明,随沉积时间增加,薄膜变致密,薄膜表面出现的白色附着颗粒增多,尺寸增大;沉积时间对薄膜的光学性质也有很大的影响,随着沉积时间的增加薄膜透过率减小,而禁带宽度值增大.
关键词:
化学水浴沉积(CBD)
,
CdS薄膜
,
沉积时间
,
Cu(In,Ga)Se2太阳电池
刘琪
,
冒国兵
,
敖建平
功能材料
采用不同络合剂化学水浴沉积ZnS薄膜,应用台阶仪、SEM、XRD、波谱仪等手段测定了ZnS薄膜的厚度、表面、物相结构及透过率等.结果表明,氨水体系沉积薄膜速度明显慢于另外两种体系,沉积的ZnS薄膜都为立方结构.柠檬酸钠体系沉积的ZnS 薄膜结晶和透过率最佳,但薄膜表面缺陷较多;氨水-联氨体系沉积的ZnS薄膜表面质量最佳,结晶和透过率也较好;氨水体系沉积的ZnS薄膜质量较差.用3种体系沉积的ZnS薄膜用于制备铜铟镓硒Cu(In,Ga)Se2太阳电池,氨水和氨水-联氨体系沉积的ZnS薄膜制备的电池转换效率明显高于柠檬酸钠体系沉积的ZnS制备的太阳电池.
关键词:
化学水浴沉积(CBD)
,
络合剂
,
ZnS薄膜
,
Cu(InGa)Se2太阳电池
