侯碧辉
,
刘凤艳
,
刘国庆
,
徐劳立
,
韩晓东
,
毛圣成
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.06.010
研究TiNi合金的宏观电磁性质与微观电子态的关系. 由TiNi合金样品的霍尔效应实验得出样品的霍尔系数为9.6×10-6 Ωm·T~(0.1). 由霍尔系数求得电子浓度n为6.5×10~(23)/m~3, 比金属电子浓度n的值小5个量级, 电学性质比金属弱得多. 而磁性测量得出TiNi合金中有很少的铁磁性晶粒, 但铁磁相很弱, 顺磁相为主相. 样品的表观顺磁磁化率为χ=(2.55±0.01)×10~(-4)(SI), 实际的顺磁磁化率的数值为4.3×10~(-4)(SI), 比金属的Pauli顺磁磁化率的数值大一个量级. TiNi合金与金属相比, 电性弱而磁性强. 电磁实验结果证明TiNi合金未满的3d与4s电子杂化后成为巡游电子, 与金属的公有化电子相比, 它们的载流能力减弱, 而局域磁性增强.
关键词:
TiNi合金
,
电磁性能
,
表观顺磁性
徐幸梓
,
刘天模
,
曾丁丁
,
张兵
,
刘凤艳
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.045
由于金刚石与Si有较大的表面能差,利用化学气相沉积(CVD)制备金刚石膜时,金刚石在镜面光滑的Si表面上成核困难,而负衬底偏压能够增强金刚石在镜面光滑Si表面上的成核,表明金刚石核与Si表面的结合力也得到增强.本文分析衬底负偏压引起的离子轰击对Si表面产生的影响之后,基于离子轰击使得Si衬底表面产生了微缺陷(凹坑)增大了金刚石膜与Si衬底结合的面积,理论研究了离子轰击对金刚石膜与Si衬底结合力的影响.
关键词:
金刚石膜
,
离子轰击
,
凹坑
,
结合力
刘凤艳
,
刘宇星
,
刘敏蔷
,
侯碧辉
功能材料
由于金刚石与Si有较大的晶格失配度和表面能差,利用化学气相沉积(CVD)制备金刚石膜时,金刚石在镜面光滑的Si表面上成核率非常低.而负衬底偏压能够提高金刚石在镜面光滑的Si表面上的成核率,表明金刚石核与Si表面的结合力也得到增强.利用负偏压增强CVD系统制备金刚石膜时,气体辉光放电产生的离子对Si表面轰击,使得Si衬底表面产生了微缺陷(凹坑),增大了金刚石膜与Si衬底的结合面积.本工作主要从理论上研究离子轰击对金刚石膜与Si衬底结合力的影响.
关键词:
金刚石膜
,
硅衬底
,
结合力
