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Al掺杂Ⅷ型Sn基单晶笼合物载流子调制对其热电传输特性的影响

申兰先 , 李德聪 , 邓书康 , 孟代仪 , 晒旭霞 , 刘祖明

人工晶体学报

本文采用Sn自熔剂法,通过调节Ga的起始含量(Ba∶ Ga∶ Al∶ Sn =8∶x∶6∶50;x=10,20,30)实现对载流子进行调制,制备出具有p型和n型传导的Ⅷ型Sn基单晶笼合物,并对其结构和热电特性进行研究.研究结果表明,随着Ga起始含量的增加,Al在化合物中的固溶度减小,材料的晶格常数也随之减小;x=10的样品Seebeck系数全部为负值,x=30的样品Seebeck系数全部为正值,而x=20的样品在450 K后由于本征激发Seebeck系数显著降低,在550 K附近由p型传导转变为n型传导;室温下具有p型传导的化合物具有较高的载流子浓度,但其迁移率显著降低,从而导致其相应的化合物具有较高的电阻率,因此通过对Ga起始含量的改变能够对化合物的载流子实现有效调控;此外,在300 ~600 K内均具有p型传导的样品室温下的载流子有效质量较n型样品的高;通过估算的热导率κ、实测电阻率和Seebeck系数,计算出x=30的p型单晶样品在457 K处获得最大ZT值0.86.

关键词: Ⅷ型笼合物 , 载流子调制 , 热电传输特性

Sn自溶剂含量对Al掺杂Ⅷ型Sn基单晶笼合物电传输特性的影响

申兰先 , 李德聪 , 刘虹霞 , 刘祖明 , 邓书康

人工晶体学报

通过Sn自熔剂法制备了Al掺杂Ⅷ型Sn基单晶笼合物Ba8Ga10Al6Snx(x=40,50,60;Sn40,Sn50,Sn60),并研究Ba8Ga10Al6Snx单晶笼合物的结构和电传输特性对自熔剂Sn初始含量的依赖性.结果表明,Al的实际含量随Sn自熔剂含量的增加而基本保持不变,说明Sn的起始含量对Al在该笼合物中固溶度的影响较小;室温下Sn60样品的载流子浓度较高,这可能是因Al在笼合物Ga8 Ga16Sn30中的占位不同而导致费米能级附近能带色散关系发生变化所引起;另一方面,在300~600 K的温度范围内,获得较高功率因子的是Sn初始含量为50的样品,在488 K处获得最大值1.82×10-3 W·m-1·K-2;获得较低功率因子的是Sn初始含量为40的样品,而功率因子较低主要是由于该样品电导率较低.

关键词: Ⅷ型笼合物 , Sn基笼合物 , 电传输特性

Sn 基Ⅷ型笼合物 Ba8 Ga16 Sn30热电材料研究进展

申兰先 , 刘祖明 , 邓书康 , 孟代仪 , 晒旭霞

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.增刊(Ⅰ).001

Ⅷ型 Sn 基笼合物 Ba8 Ga16 Sn30由于具有优异的热电传输特性而被认为是最具有应用前景的热电材料之一。介绍了Ⅷ型 Sn 基笼合物的晶体结构、合成方法及理论和实验方面的研究情况,并对有关研究进展进行评述,同时提出进一步研究该笼合物的一些建议。

关键词: Sn 基笼合物 , Ⅷ型笼合物 , 热电材料 , 热电性能

高压低温制备硅材料的性能研究

廖华 , 林理彬 , 刘强 , 刘祖明 , 陈庭金

功能材料

研究了用高压低温法制备的硅材料的性能.进行了不同的温度条件下制备陶瓷硅材料的实验研究,获得了最佳的制备条件.用XRD分析了材料的物相;阿基米德法测量了制备材料的密度;对材料的电阻率和硬度进行了测量.结果表明:用高压低温方法可以制备出无氧化相存在的陶瓷硅材料,其最佳的烧结温度为600℃;样品具有较好的机械强度和硬度,获得了适于制备多晶硅薄膜的衬底材料.

关键词: 陶瓷硅材料 , 性能 , 高压 , 低温

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