薛玉明
,
孙云
,
李凤岩
,
朴英美
,
刘维一
,
周志强
,
李长健
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.033
本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值ΔEC、ΔEV.其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔEc对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为-0.298eV(高效电池的理想值范围为0～0.4eV),说明这对电池整体性能不是很好.
关键词:
异质结
,
能带边失调值
,
CIGS
,
OVC
,
太阳电池
