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SiO2纳米线/纳米颗粒复合结构的制备及光致发光性能研究

杨喜宝 , 刘秋颖 , 赵景龙 , 吕航 , 王秋实 , 陆晓东 , 姚震 , 吕俊超

人工晶体学报

采用热蒸发法制备了非晶SiO2纳米线/纳米颗粒复合结构,确定了非晶SiO2纳米线、微米颗粒及SiO2纳米线/纳米颗粒复合结构生长的工艺条件,并利用XRD、SEM、Raman、PL光谱等技术手段分析表征样品.实验结果表明,在不同的沉积温度范围内,生长样品的形貌和结构不同;SiO2纳米线/纳米颗粒复合结构的发光区与Si衬底明显不同,主要集中在黄绿光范围.

关键词: SiO2纳米线/纳米颗粒复合结构 , 热蒸发法 , 光致发光(PL)光谱

钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性研究

董恩来 , 郜梦迪 , 杨巳望 , 张丽娜 , 吕航 , 张伟 , 马晋文

人工晶体学报

近年来,有机-无机钙钛矿太阳能电池由于卓越的光电性能和极低的材料成本引起广泛关注,更被认作是一种前景广阔的光伏材料.目前,钙钛矿太阳能电池的光电转换效率已经超过22%,展示了极大的发展潜力,但对紫外线辐射和水的长期稳定性差.因此,关于钙钛矿太阳能电池的研究主要集中在电池的高效性和稳定性.本文对提高钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性的多种方法进行综述,介绍了近期获得的突破,旨在为实现提高钙钛矿太阳能电池的高效性和稳定性提供基本依据.

关键词: 钙钛矿 , 高效性 , 稳定性

工艺参数偏差对纳米压印a-Si太阳电池光学性质的影响

陆晓东 , 张鹏 , 周涛 , 赵洋 , 李媛 , 吕航

人工晶体学报

先基于实际工艺条件和频域有限差分法,优化了纳米压印三角带型a-Si太阳电池织构结构,然后重点探讨了有源层和铝背反镜厚度偏差、SiNx增透膜折射率和厚度偏差及织构结构几何尺寸偏差对a-Si太阳电池光电流密度的影响.研究表明:TM模受有源层和铝背反镜厚度偏差、SiNx增透膜折射率和厚度偏差及织构结构几何尺寸偏差的影响较小,平均光电流密度的变化主要受TE模光电流随工艺偏差的影响;增透膜和压印模板制备过程中,有效控制工艺参数的偏离是获得最优a-Si太阳电池设计性能的关键.

关键词: a-Si太阳电池 , 纳米压印 , 工艺偏差

铝基覆铜板导热系数瞬态测量方法与技术的探讨

崔展宁 , 白云 , 卜祥伟 , 吕航

绝缘材料

介绍了当前几种固体规则试件导热系数的瞬态测量方法与技术,分析了各自的优缺点,并对其用于铝基覆铜板导热系数测量的可行性进行了分析。

关键词: 铝基覆铜板 , 导热系数 , 瞬态测量

基于暗I-V特性曲线对晶硅电池杂质和缺陷性质研究

宋扬 , 陆晓东 , 王泽来 , 赵洋 , 吕航 , 张宇峰

人工晶体学报

暗I-V特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段.本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗I-V特性曲线的影响,并给出了利用暗I-V特性曲线判断晶硅电池内部杂质和缺陷类型和分布的基本准则,结果表明:在大于0.75 V的正向偏压区域,暗I-V特性曲线的明显变化可作为判断为由晶硅电池体内杂质和缺陷引起;在0.1 V~0.75 V的正向偏压区域,暗I-V特性曲线的理想因子分区性质可作为晶硅电池体内和表面杂质和缺陷的依据.

关键词: 晶硅电池 , 暗I-V特性曲线 , 理想因子 , 杂质 , 缺陷

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