吴先球
,
陈俊芳
,
熊予莹
,
吴开华
,
任兆杏
功能材料
用红外光谱和拉曼光谱分析了用低温电子回旋共振等离子体CVD技术制备的Si3N4薄膜的键态结构.结果表明Si3N4薄膜主要由Si-N键结构组成,还含有Si-H和Si-O-Si键结构.随着沉积温度的提高,Si3N4薄膜中的Si-H键减少,氢含量降低.可利用提高沉积温度来减少Si3N4薄膜中的氢含量.在沉积温度为420℃时Si3N4薄膜的Raman光谱在短波方向出现一新的展宽的拉曼散射峰.
关键词:
氮化硅
,
薄膜
,
键态结构
,
ECR-PECVD
孔令红
,
熊予莹
,
符斯列
,
陈俊芳
,
吴先球
,
唐吉玉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.022
采用ECR氮等离子对纳米TiO2薄膜表面进行氮注入处理来改善纳米TiO2催化剂的光谱响应范围.处理后表面颜色变成微黄色,说明氮离子已注入到TiO2薄膜里;AFM观察处理前后的薄膜,发现表面形貌没有很大改变;紫外-可见光谱分析结果表明,TiO2薄膜催化剂的光谱响应红移了12-18nm;通过不同功率、不同处理时间研究显示,在微波功率为400W、处理60min改性效果最理想.
关键词:
ECR氮等离子体
,
光谱响应
,
TiO2薄膜
,
紫外-可见光谱分析
,
AFM
余红华
,
熊予莹
,
陈俊芳
,
吴先球
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2007.06.037
采用氢微波等离子体对纳米TiO2薄膜催化剂进行改性处理来改善其光谱响应范围.AFM观察表明未经烧结的TiO2薄膜表面形貌发生较大变化,经过500℃1h热处理过的样品表面形貌变化不大,但处理后样品表面颜色变为淡灰色,并随着气压和功率增大而变深;紫外-可见光谱分析表明,纳米TiO2薄膜催化剂的光谱响应曲线发生了12～25 nm红移;XPS定量分析证实,改性处理后部分TiO2被还原为低价钛氧化物,同时在TiO2薄膜的表面产生了氧空位,从而使样品的吸收边红移,可见光吸收增加.通过不同气压、功率、时间研究显示,在气压/微波功率/时间为16Torr/400W/5min条件下改性效果较理想.
关键词:
氢微波等离子
,
纳米TiO2薄膜
,
光谱响应
,
紫外-可见分析
,
XPS
余红华
,
熊予莹
,
吴先球
,
陈俊芳
材料导报
采用溶胶-凝胶法在玻璃载波片及ITO导电玻璃片上制备出负载型纳米TiO2薄膜,并用原子力显微镜(AFM)对不同条件下制备的TiO2的表面形貌进行了表征.结果表明,TiO2薄膜能较好地负载在玻片表面,并且TiO2薄膜的表面形貌与前驱物的配比浓度、基片、热处理温度等都有密切的关系.随浓度和镀膜层数的增大,薄膜中TiO2纳米微晶的颗粒尺寸逐渐增大,从细小均匀粒子膜变为较大不规则的板块结构.在ITO薄膜面形成的TiO2薄膜具有较小的颗粒和均匀的分布.
关键词:
纳米
,
TiO2薄膜
,
表面形貌
,
AFM
陈俊芳
,
吴先球
,
王德秋
,
丁振峰
,
任兆杏
功能材料
利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布;在不同的工艺条件下制备了Si3N4薄膜;由STM和Telystep-Hobbso轮廓仪研究了ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜的表面微观特性,分析了沉积温度对ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜表面平整度特性影响的物理机理;结果表明ECR-PECVD制备的薄膜是一种表面均匀致密的纳米Si3N4薄膜.
关键词:
氮化硅:薄膜表面平整度
,
沉积温度
陈俊芳
,
吴先球
,
樊双利
,
王鑫
,
任兆杏
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.020
利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术在超高频大功率晶体管芯片表面沉积Si3N4钝化膜,实现了芯片的Si3N4薄膜钝化.对钝化前后的芯片测试表明,芯片经钝化后电特性有较好地改善,提高了反向击穿电压,降低了反向漏电流,提高了芯片的成品率.
关键词:
光电子学
,
ECR-PECVD
,
氮化硅钝化膜
,
芯片
