谢生
,
陈松岩
,
何国荣
,
周海文
,
吴孙桃
功能材料
通过对InP/GaAs异质键合实验方法的研究,提出了包括表面活化处理、真空预键合和退火热处理的三步法,在350℃低温下实现了InP/GaAs异质材料的键合.界面电流-电压(I-V)特性的研究表明,350℃样品的界面过渡层极薄,电子主要以隧穿方式通过界面,而450℃的扩散使得过渡层增厚,界面电流-电压特性可视为双肖特基二极管的反向串联.同时,对键合样品也进行了拉力测试,实验结果表明450℃样品的键合强度优于350℃样品.最后,对InP/GaAs异质材料的键合机理进行了探讨.
关键词:
低温键合
,
磷化铟
,
砷化镓
,
I-V特性
,
键合强度
杨扬
,
田景华
,
罗仲梓
,
吴孙桃
,
田中群
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.10.071
将普通光刻技术和电化学技术相结合,在微芯片上制备得到了机械可控断裂结法(MCBJ)所需的悬空纳米间隔金属电极对,并分别用热氧化二氧化硅和聚酰亚胺(PI)作为牺牲层使得电极对悬空,明显提高了可控断裂的实验成功率,并延长了微芯片使用寿命.利用分子自组装和MCBJ方法成功构筑了金属/分子/金属结,并实施了对巯基苯胺(BDT)单分子的电学性质测量,得到了BDF的电导值和I-V特性曲线.
关键词:
分子电子学
,
机械可控裂结法
,
单分子电导
,
牺牲层
,
微加工
李志栓
,
吴孙桃
,
李静
,
郭东辉
功能材料
采用射频磁控溅射的方法,在不同条件下制备了氧化钒薄膜样品,分别在不同温度条件下做了退火处理,并对退火前后样品做了X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和激光扫描共聚焦显微镜测试与分析,旨在得出制备良好的V2O5薄膜的条件.
关键词:
射频磁控溅射
,
氧化钒薄膜
,
XRD
,
XPS
,
激光扫描共焦显微镜
李静
,
李志栓
,
吴孙桃
功能材料
研究了用磁控溅射系统来制备氧化钒薄膜,通过优化工艺条件制备出可用作锂离子微电池阴极膜的非晶态五氧化二钒(α-V2O5)薄膜.并使用X射线衍射(XRD)与X射线光电子谱(XPS)来表征薄膜的晶向及化学组分.结果表明通过调节氧气以及氩气的流量、基片的温度和溅射功率,可以制备出高纯度的α-V2O5薄膜.而且,半电池体系V2O5/LiPF6/Li被构造用于表征在锂电池中作为阴极膜的五氧化二钒(α-V2O5)的电学性质.在此电池系统经过10个循环放电后,薄膜放电电容趋于稳定值.
关键词:
α-V2O5
,
阴极膜
,
射频磁控溅射
,
锂离子电池
