周庭艳
,
黄海深
,
吴波
,
杨秀德
,
李平
,
冯雨
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.16.023
采用密度泛函理论研究了空位和反位缺陷效应对四元Heusler合金CoFeTiSb电子结构的影响.结果表明,VdCo、VdFe空位缺陷和Tisb反位缺陷具有负的形成能,能保持85％以上的自旋极化率,在CoFeTiSb合金工业制备过程中自发形成几率较大;VdTi、VdSo空位缺陷和FeCo反位缺陷虽然费米面处自旋极化率为100％,仍保持半金属性,但正的形成能表明在制备过程中它们出现的几率较小.此外,SbCo、SbFe、SbTi、CoTi、FeTi反位缺陷由于具有较大的形成能和半金属性破坏,自旋极化率不同程度降低.
关键词:
Heusler合金
,
空位缺陷
,
反位缺陷
