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PCVD涂硅的动力学研究

王蕾 , 周树清 , 陈大凯

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2000.12.022

采用等离子体化学气相沉积(PCVD)法，在0．1～0．3mm厚的普通硅钢片表面涂硅，再进行短时间高温扩散，使硅钢片的含Si量增加到6．5％，铁损P10/50比原来钢片降低50％，其他磁性能也大有改善。试验结果表明，在460～600℃涂硅，其他条件不变，涂硅速度随温度升高而降低，并对等离子体反应的动力学和热力学进行了研究。

关键词: 涂硅 , PCVD法 , 动力学