桂全宏
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周福强
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汪桂根
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崔林
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黎凌华
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严帅
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韩杰才
功能材料
近年来，图形化的蓝宝石衬底在改善GaN晶体外延生长质量以及提升LED器件发光提取效率方面作用显著，引起了广泛的研究兴趣。综述了蓝宝石图形衬底的制备方法（干法刻蚀、湿法刻蚀、外延生长法），并较系统地介绍了蓝宝石图形衬底表面周期性图形参数（图形形貌、图案尺寸、图形占位比及其深度）对LED发光薄膜及器件的影响及其机理，最后对蓝宝石图形衬底的发展趋势进行了展望。
关键词:
蓝宝石图形衬底
,
GaN
,
LED
崔林
,
汪桂根
,
张化宇
,
周福强
,
韩杰才
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11785
近几年, 图形化蓝宝石衬底因其作为GaN基发光二极管外延衬底, 不仅能降低GaN外延薄膜的线位错密度, 还能提高LED的光提取效率而引起国内外许多科研机构的广泛研究兴趣. 本文综述了图形化蓝宝石衬底提高GaN基发光二极管性能的作用机理, 重点评述了目前图形化蓝宝石衬底的制备方法(湿法刻蚀、干法刻蚀、固相反应)和图形尺寸(微米图形化、纳米图形化), 分析比较了不同制备方法和图形尺寸制备蓝宝石图形衬底对GaN基发光二极管性能改善, 最后针对蓝宝石图形衬底制备存在的问题对其今后的发展方向做出展望.
关键词:
图形化蓝宝石衬底; 氮化镓; 发光二极管; 横向外延过生长; 综述
崔林
,
汪桂根
,
张化宇
,
周福强
,
韩杰才
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11785
近几年,图形化蓝宝石衬底因其作为GaN基发光二极管外延衬底,不仅能降低GaN外延薄膜的线位错密度,还能提高LED的光提取效率而引起国内外许多科研机构的广泛研究兴趣.本文综述了图形化蓝宝石衬底提高GaN基发光二极管性能的作用机理,重点评述了目前图形化蓝宝石衬底的制备方法(湿法刻蚀、干法刻蚀、固相反应)和图形尺寸(微米图形化、纳米图形化),分析比较了不同制备方法和图形尺寸制备蓝宝石图形衬底对GaN基发光二极管性能改善,最后针对蓝宝石图形衬底制备存在的问题对其今后的发展方向做出了展望.
关键词:
图形化蓝宝石衬底
,
氮化镓
,
发光二极管
,
横向外延过生长
,
综述
