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纳米银掺杂对Bi(2223)超导体的影响

宋文海 , 姜柳笛 , 赵兵 , 蒲明华 , 吴兴才 , 黄卫东 , 孙玉平 , 杜家驹

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.06.014

研究了不同含量纳米银掺杂的(Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3Ox块材.DTA分析表明纳米银掺杂使材料熔点降低,加速了高Tc相的形成.磁场下R-T展宽测试表明,纳米银掺杂大大提高了磁通蠕动激活能,其中最佳掺杂15wt%Ag时激活能提高5~6倍;掺杂样品的钉扎能U(H)随磁场降低比非掺杂样品要慢,改善了磁场下的传输性能.交流磁化率测量表明纳米银掺杂使晶间损耗峰向高温移动20K,说明纳米银掺杂改善了晶界弱连接,并大大增强了晶界的涡旋钉扎能力.

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