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层间反应法制备CaGa2S4∶Ce电致发光器件

徐春祥 , 娄志东 , 曹林 , 马龙 , 刘行仁 , 徐征 , 徐叙容

中国稀土学报

报道了用层间反应法制备CaGa2S4∶Ce薄膜, 用电子束蒸发法交替沉积CaS∶Ce和Ga2S3膜, 然后经一定的处理, 获得CaGa2S4∶Ce膜. X射线衍射、 STEM显微照片和EDX等分析结果表明, 产物为结晶度较好、符合CaGa2S4∶Ce化学计量比的发光薄膜, 并得到了Ce3+的蓝色发光谱.

关键词: 稀土 , , 层间反应法 , 电致发光器件 , 硫代镓酸盐

铽配合物Tb(o-BBA)3(phen)有机电致发光研究

刘玲 , 徐征 , 娄志东 , 张福俊 , 孙波 , 裴娟

中国稀土学报

合成了一种新的稀土配合物邻苯甲酰苯甲酸-1,10-菲罗啉-铽(Tb(o-BBA)3(phen))并用于有机电致发光. 研究了Tb(o-BBA)3(phen)与PVK混合薄膜的光致发光特性, 找出了PVK:Tb的最佳比例为3:1. 制备了结构为ITO/PVK:Tb/Al的单层电致发光器件, 得到了铽离子的特征光谱, 其电流-电压特性(I-V)在一定电压范围内符合空间电荷限制电流机制. 研究结果表明稀土铽配合物Tb(o-BBA)3(phen)掺杂PVK体系的光致发光是源于PVK到Tb配合物的能量传递及稀土Tb配合物的直接激发两种作用机制, 而电致发光以载流子俘获为主.

关键词: 铽配合物 , 能量传递 , 载流子俘获 , 电致发光 , 稀土

SrS:Ce薄膜电致发光机制

徐征 , 徐叙瑢 , 徐春祥 , 陆祖宏 , 娄志东

中国稀土学报

在分析Ce3+激发态能级与导带之间杂化相互作用的基础上,讨论了电场强度与场致电离之间的关系.实验测得的SrS:Ce TFEL发光波形表明,在正弦电压驱动下的半周期内,一种样品在上升沿有发光,而另一种样品在上升和下降沿有两个发光峰.这种不同的产生与样品中硫空位对SrS:Ce激发和发射过程的影响有关.上升沿的发光主要是由直接碰撞激发引起的分立中心的发光,而下降沿的发光及上升沿的部分发光属于因电离而引起的复合发光.

关键词: 稀土 , , 硫化锶 , 复合发光 , 电致发光

CdWO4膜的制备及发光特性的研究

娄志东 , 衣兰杰 , 滕枫 , 杨盛谊 , 徐征

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.02.011

利用一种软化学合成方法--喷雾热解法,在玻璃基底上制备了钨酸镉(CdWO4)发光膜,研究了其结构、吸收光谱、光致发光及较低电压下的阴极射线发光特性.由吸收光谱估算出CdWO4膜的禁带宽度约为3.70 eV.当基底温度在350 ℃以上时,生成的CdWO4膜在紫外光及阴极射线激发下发出蓝绿光,其光谱为一宽蓝绿发光带.利用高斯函数进行拟合,发现此发光由3个发光带组成:一个峰值位于495 nm (2.51 eV) 的主发光带,另外两个分别位于444 nm (2.80 eV) 和545 nm (2.28 eV)的发光带.证实了峰值位于495 nm(2.51 eV)的主发光带和氧空位无关,是由阴离子络合物WO6-6的发光引起的.研究了退火温度对CdWO4膜发光特性的影响.随着退火温度的升高,发光亮度和效率增大.样品的亮度随外加电压的增加而增大,没有观察到亮度饱和现象.经600 ℃下退火的CdWO4膜,在电子束电压为5 kV,电流密度为57 μA/cm2的条件下,其阴极射线发光亮度可达420 cd/m2,效率达1.9 lm/W.研究结果表明,CdWO4发光膜有可能用在以玻璃为基底的平板显示器件中.

关键词: 发光膜 , 喷雾热解法 , 阴极射线发光 , 亮度和效率

稀土离子掺杂的铝酸锌膜的低压阴极射线发光

娄志东 , 衣兰杰 , 滕枫 , 徐征 , 杨盛谊

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.012

在空气中采用喷雾热解法合成了稀土铕(Eu)、铽(Tb)及铥(Tm)掺杂的铝酸锌(ZnAl1O4)发光膜,研究了合成条件对其阴极射线发光特性的影响.ZnAl2O4:Tb3、ZnAl2O4:Tm3+及ZnAl2O4:Eu3+膜分别发出主峰位于555 nm的绿光、主峰位于478 nm的蓝光及主峰位于616 nm的红光.上述发光均可在低退火温度(700℃以下)下获得,因此可以使用玻璃作为基底.同时研究了样品发光的色坐标和色纯度,并与标准的红、绿、蓝粉的色品度进行了比较.样品的亮度和效率都随外加电压的增加而增大,没有观察到亮度饱和现象.此外,Eu掺杂的znAl2O4膜在850℃以上、还原气氛中退火后呈现Eu2+的特征发射--宽的蓝发射带.

关键词: 阴极射线发光 , 喷雾热解法 , 色坐标和色纯度

厚度依赖的Poly (3-hexylthiophene)光伏器件中的磁场效应

马超 , 胡煜峰 , 李剑焘 , 侯延冰 , 娄志东 , 邓振波

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142905.0692

对poly(3-hexylthiophene) (P3HT)光伏器件产生正、负向磁场效应的原因进行了研究.制作了不同活性层厚度的光伏器件,光电流的磁场效应对厚度的依赖非常明显:在活性层厚度为44 nm时,有2.8%的正效应;当活性层厚度提高为105 nm时,磁场效应变为负值(-5.2%).为了研究产生这种效应的原因,制备了1-(3-methyloxycarbonyl) propyl-1-phenyl[6,6] C61(PCBM)与P3HT共混的器件.在共混器件中,磁场效应随着PCBM比例的提升而逐渐下降直至湮灭且磁场效应不再随活性层厚度发生变化.磁场效应的产生源于磁场可以调控单线态和三线态激子的比例,进而调节单线态激子主导的激子分离作用和三线态激子主导的激子电荷分离作用.实验结果显示出在纯P3HT光伏器件中,当PCBM加入到活性层中时,大量激子在给受体界面处分离成为自由载流子,单线态和三线态激子都可以高效地通过激子分离使光电流增强,激子比例不再影响光电流大小,所以磁场效应逐渐消失且对活性层厚度失去依赖.

关键词: 磁阻效应 , 激子分离 , 激子-电荷作用 , 系间窜越

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