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单晶硅快速磷扩散研究

孔凡迪 , 陈诺夫 , 陶泉丽 , 贺凯 , 王从杰 , 魏立帅 , 白一鸣 , 陈吉堃

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.02.016

采用传统方法向晶体硅中扩磷不仅耗时长,而且能耗多.使用快速热处理(RTP)方法可以在数十秒时间内达到磷扩散深度和浓度的要求,具有广阔前景.使用磷纸作为扩散源,结合快速热处理法对p型单晶硅片进行磷扩散,用磨角染色法探究扩散结深,获得了最为理想的p-n结扩散温度及时间.通过计算快速热处理条件下磷在硅中的扩散系数以及扩散激活能,分析了与传统扩散方法不同的原因.

关键词: 半导体材料 , p-n结 , 快速热处理 , 磷扩散 , 扩散系数

石墨衬底上多晶硅厚膜的生长及性质分析

杨博 , 陈诺夫 , 孔凡迪 , 牟潇野 , 陶泉丽 , 白一鸣 , 陈吉堃

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.04.014

以石墨片为衬底，利用磁控溅射技术生长多晶硅籽晶层，退火处理后用 CVD 制备多晶硅厚膜。XRD测试结果表明，在籽晶层上外延多晶硅厚膜具有高度的(220)取向，这说明外延层的择优取向延续了籽晶层的取向。SEM测试结果表明，石墨片上多晶硅外延层生长良好，说明石墨片作为廉价衬底之一，有望投入工业化生产，以降低太阳能电池的制作成本。

关键词: 石墨 , 籽晶层 , 择优取向 , 退火

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