张立东
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刘春海
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孙化冬
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张伟
功能材料
用多靶射频磁控溅射技术,在纯氩气氛中不同溅射功率（40～100W）下在Si（100）基底上制备晶体AlCrTaTiNi高熵合金薄膜。同时用四点探针（FPP）X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）及其附带的能谱分析仪对薄膜的电性能和微结构进行表征。分析结果表明AlCrTaTiNi高熵合金薄膜在溅射功率为80W时的晶粒尺寸最大,电阻率最低,为160μΩ.cm左右。同时截面SEM形貌显示形成的晶体并非柱状晶体。
关键词:
高熵合金
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晶粒尺寸
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溅射功率
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膜厚
