孙聂枫
,
杨光耀
,
吴霞宛
,
曹立新
,
赵权
,
郭维廉
,
赵有文
,
孙同年
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.004
在未掺杂和掺Fe的LEC-In中用FT-IR测试到VInH4的存在.已经证实该缺陷在LEC-InP中普遍存在.经研究表明在掺Fe的InP中的VInH4浓度比在未掺杂中的高.而在同一晶锭中其浓度分布是头部高,尾部低.讨论了其对未掺杂InP的电子特性和掺Fe的InP的补偿的影响,及其对InP热稳定性的影响.
关键词:
InP
,
VInH4
,
补偿
黄清芳
,
王阳
,
刘志国
,
杨瑞霞
,
孙同年
,
孙聂枫
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.03.012
磷化铟单晶生长是一种液相转变为固相的过程,晶体生长过程中的热场条件直接影响晶体的热应力、电学均匀性、位错密度、晶片的几何参数.通过实验和理论分析研究热场条件对InP晶体生长的影响,通过晶锭退火、晶片退火、位错测量、应力测量等实验研究、分析位错密度与残余热应力的关系和减除热应力的方法.在InP晶体生长阶段,熔体温度、炉内气体压强、氧化硼厚度、熔体及晶体的形状、炉体结构、加热功率等都是影响晶体生长过程中热场分布的因素.这些因素共同导致晶体内部产生径向和轴向温度梯度,从而产生热应力.晶体长时间处于温度梯度很小的高温状态,能使其应力得到释放并且内部的晶格畸变也会发生变化.通过后期适当的高温热处理可以使晶体内部残余热应力得到释放.采用金相显微镜观察InP样片观察到的位错呈现“十”字状分布,中心和边缘位错低,两者之间的“十”字部分位错高,与晶片残余应力分布基本保持一致.晶体生长过程中,热应力大于临界剪切应力导致的晶格滑移使InP的晶格结构产生畸变,导致晶体内部形成位错.
关键词:
InP
,
单晶
,
热场
,
热应力
,
位错
