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ZnO压电薄膜的生长与应用

孙宏明 , 郭航

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.057

本文实验研究了ZnO压电薄膜的生长与表征,运用XRD和SEM测试了磁控溅射生长的ZnO压电薄膜的C轴择优取向生长情况和晶粒质量,比较了Si、覆盖在si基底上的Al薄膜和SixNy薄膜三种材料衬底以及退火处理对ZnO薄膜的结晶质量的影响.还开发了仍然采用Al作为底电极但用一层SixNy薄膜与ZnO层隔离的MEMS压电器件的微制造工艺,以满足生长高质量的ZnO压电薄膜并与CMOS工艺兼容的要求.

关键词: ZnO薄膜 , 磁控溅射 , 退火 , XRD , MEMS器件

应用于超声共振检测的PZT/Si复合材料换能器

孙宏明 , 张志强 , 郭航

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.02.059

提出并设计了一种应用于超声共振检测的FZT/Si复合材料圆片换能器.该换能器是将一小硅片粘贴在PZT压电片上复合而成,硅片中心已有一个应用MEMS技术加工制造的倒金字塔小坑.这使得待测样品很容易安装在超声共振谱检测的平台上,并能提高测量的精确度.文中利用ANSYS对该换能器和单独PZT-4压电片换能器进行比较分析,得出了不同结构在相同电压和外力作用下产生的静态位移结果以及共振频率,并讨论了复合结构参数对换能器工作灵敏度的影响.结果表明,复合换能器的灵敏度仅降低4%～4.8%,可以应用在超声共振谱检测中.

关键词: 超声共振检测 , PZT/Si复合换能器 , MEMS微制造

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