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氮化镓薄膜生长工艺研究的最新进展

赵谢群 , 张燕红 , 邱向东 , 孙晋伟

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.02.015

综述了高质量GaN薄膜材料生长工艺的最新进展,着重阐明金属有机物汽相沉积工艺以及以活性氮为前体的分子束外延工艺的应用.

关键词: GaN , 薄膜 , 外延生长 , 活化氮源

日本三价铬电镀技术的发展状况

刘卫青 , 张长鑫 , 杜登学 , 孙晋伟 , 翁国庆

材料保护

描述了日本三价铬电镀技术的发展状况,介绍了日本自引入Alecra-3工艺以来,在电镀液组成、电镀工艺和阳极等各方面进行的改进,如采用了新的离子交换树脂净化电镀液,对产品的氢脆、抗蚀性和镀液不稳定的因素等进行了详细研究,并提出了今后进一步研究的方向.目前日本已将该工艺应用于汽车、手机零部件生产上.

关键词: 三价铬 , 电镀 , 日本 , 发展状况 , 性能 , 机理

日本稀土纳米技术与市场

杨启山 , 翁国庆 , 孙晋伟 , 徐斌 , 方媛 , 张长鑫

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2005.05.009

综述了日本稀土纳米技术研究、开发及市场状况.日本每年以3~5亿美元的速度投入纳米技术,目前技术水平居全球第二位,仅次于美国.一些稀土纳米粉、纳米新材料及纳米电子元器件已经产业化.

关键词: 日本稀土纳米技术 , 研究与开发 , 市场状况

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