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激光辐照制备高介电常数Ta2O5陶瓷

季凌飞 , 王伟 , 于振龙 , 蒋毅坚

功能材料

采用大功率CO2激光辐照制备高介电常数Ta2O5陶瓷,讨论了激光制备工艺参数如激光光束模式、功率密度、扫描速率、辐照时间、辐照方式等对制备材料介电性能和组织形貌的影响,分析了其作用机理.

关键词: Ta2O5陶瓷 , 激光辐照 , 高介电常数

SiC发光特性及其调控研究进展

王思聪 , 季凌飞 , 吴燕 , 张永哲 , 闫胤洲

材料工程 doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.001179

碳化硅(SiC)作为第三代半导体的代表材料,具有禁带宽度大、热导率高和临界击穿电场高等特点,所制备的光电器件在高温、强辐射等极端、恶劣条件下有巨大的应用潜力.本文综述了国内外SiC发光性质的研究现状,介绍SiC发光的实际应用,阐述了单晶、纳米晶和薄膜不同形态SiC的制备方法及发光特点,并对SiC发光调控的研究进展进行了探讨与展望.利用新兴技术手段,可实现对SiC发光光谱和发光效率等性质的调控.

关键词: 碳化硅 , 宽禁带半导体 , 发光 , 发光调控

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