李松
,
张同俊
,
安兵
,
刘一波
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2006.z1.048
对电子封装工业生产中无铅焊料的回流曲线工艺进行了研究,焊料的回流曲线影响界面处的金属间化合物的生成,通过引入加热因子开展研究,同时也进行了焊料的剪切强度实验用于评价封装的可靠性,研究结果表明:较厚的金属间化合物会降低焊球的剪切强度,而回流曲线的优化对焊料焊接的质量,可靠性有很强的实践意义.
关键词:
热曲线
,
金属间化合物
,
剪切强度
张金松
,
李娟娟
,
吴丰顺
,
朱宇春
,
安兵
,
吴懿平
功能材料
采用TO220封装的电子元件,研究了在温度循环条件下,元件Cu引脚上纯Sn镀层的Sn须生长行为.研究发现,Sn须在温度循环条件下的生长呈现出较高速率、较高密度、较一致长度的特点.随着温度循环次数的增加,Sn须密度和长度不断增加;与此同时,镀层表面Sn须的附近区域出现凹坑.研究表明,Cu-Sn金属间化合物的生长速率很快,使得镀层内部压应力增大,Sn须生长驱动力增加;同时,不同材料热失配产生的低周疲劳热应力,为Sn须的生长提供了额外的驱动力.此外,交变的热应力更容易破坏表面氧化膜促进Sn须的生长.满足应力条件和取向条件的晶粒首先发生Sn须生长,高密度的Sn须生长诱发部分晶粒发生向内的变形,在镀层表面形成大量的凹坑.
关键词:
纯Sn镀层
,
Sn须
,
温度循环
,
热应力
吴懿平
,
刘一波
,
吴丰顺
,
安兵
,
张金松
,
陈明辉
功能材料
Sn镀层表面在某些情况下会长出长达数百微米的晶须,在电子器件服役过程中会导致电路短路等严重的可靠性问题.目前普遍认为内部压应力是导致Sn晶须生长的主要动力之一;晶须生长所需的Sn原子主要以扩散方式或位错运动方式提供,而温度因素既影响原子扩散速度,又影响镀层的应力松弛.预镀Ni或者预先热处理以形成扩散阻挡层来抑制晶须生长的方法较为常用.温度循环是加速晶须生长的一种有效手段.
关键词:
晶须
,
无铅
,
可靠性
,
电迁移
,
封装
安兵
,
张同俊
,
袁超
,
崔昆
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2003.07.006
采用基片曲率法设计和制作了一种测量薄膜应力的装置,它具有简单、无损伤、快速、易于操作、精度高的优点.使用该装置测量了射频磁控溅射镀制的Cu单层膜和Ag/Cu多层膜的应力,结果表明薄膜残余应力是均匀的,但随沉积条件不同而不同.Cu单层膜和Ag/Cu多层膜处于压应力状态,外加-200 V偏压时,Ag/Cu多层膜则转变为很小的拉应力状态.XRD表明Ag/Cu多层膜已结晶,呈现Ag(111)/Cu(111)择优取向.
关键词:
基片曲率法
,
薄膜
,
残余应力
吴丰顺
,
何敬强
,
吴懿平
,
安兵
,
王佳
,
张金松
功能材料
用分散聚合法制备了用于各向异性导电胶膜导电粒子核心的聚苯乙烯微球.研究了加料方式、PVP(聚乙烯吡咯烷酮)用量以及反应介质对微球粒径及分散性的影响,随着PVP用量的增加、醇/水比的降低,微球粒径减小、分布变窄,且一次性加料法所得微球粒径均匀.制备的聚苯乙烯微球粒径为3.0μm.
关键词:
高分子微球
,
分散聚合
,
单分散
,
聚苯乙烯
安兵
,
张同俊
,
袁超
,
崔昆
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.05.002
采用基片曲率法测量并研究了Ag/Cu薄膜的应力与温度的关系.初始应力为-250MPa压应力,退火后为370 MPa拉应力.采用基于形变机制图的模型模拟了应力与温度关系的实验曲线,结果表明,温度和应力不同,在薄膜内起作用的主要形变机制也不同可能的形变机制包括位错滑移、幂律蠕变以及扩散蠕变机制.薄膜比块体材料的应变速率低,在同样的应力下应变更加困难.在退火过程中,薄膜内先使应力松弛的是Ag,将Ag各蠕变机制中的激活能提高到块体材料的1.25～1.35倍,模拟曲线与实验曲线符合得很好.
关键词:
金属材料
,
Ag/Cu薄膜
,
形变机制图
,
退火残余应力
安兵
,
张同俊
,
崔崑
材料导报
金属多层膜在高温低应力条件下发生弹性蠕变时,由于膜的塑性流动,使得测量金属固-固相界面能成为可能.介绍了一种测量金属固-固相界面能的方法--零蠕变法,并着重阐述双向零蠕变法的原理和设备,
关键词:
界面能
,
零蠕变法
,
多层膜
,
激光曲率法
李松
,
张同俊
,
安兵
材料导报
随着微电子封装领域中合金的使用,润湿性问题已成为封装可靠料学、材料物理、测试科学技术等基础研究领域.综述了目前合金润湿性的常用测量方法,着重介绍了润湿平衡法,最后利用基片曲率法,提出一种新的光学方法来实时测量合金润湿性.
关键词:
润湿
,
合金
,
基片曲率法
李松
,
张同俊
,
安兵
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.021
利用多层膜零蠕变法,直接测量 Si( 111)单晶片上沉积的 Ag/Ni多层膜界面自由能.通过基 片曲率法实时测量 Ag/Ni多层膜升温退火过程中的应力变化,在 450°C保温,发现此时多层膜达到 平衡状态,最终的平衡应力为 0.57MPa, 计算出 Ag/Ni的界面自由能γ int为 0.63 J/m2, 最后结合 XRD测试结果和 SEM剖面形貌,从界面能角度对多层膜的稳定性进行了分析讨论.
关键词:
基片曲率法
,
多层膜
,
界面自由能
