陈莹莹
,
宓一鸣
人工晶体学报
本文基于第一性原理对硅取代、掺杂石墨烯纳米带不同位置的电子能带结构、态密度及电子器件的电子输运性质进行了分析与研究.结果表明,锯齿形石墨烯纳米带(ZGNRs)在硅原子取代及掺杂后由原来的半导体态转变为金属态.在各种模型中,对于体系态密度有贡献的一般为原子指数为1、在p轨道的硅原子(Si1p);原子指数为2、在p轨道的硅原子(Si2p)和碳原子(C2p);少量的原子指数为1、在s轨道的氢原子(H1s)和碳原子(C1s).经分析,在各取代位置中两端硅原子取代的锯齿形石墨烯纳米带的体系能量最小,表明其为最有可能发生的取代位置.在掺杂位置中,体系能量计算结果显示填隙硅原子的能量更低,最有可能发生此种掺杂.电子输运性质的研究中,在所有的取代位置中单边硅原子取代组成的电子器件电子输运性质最好.在所有电子器件模型中电子输运性质最好的是填隙硅原子掺杂模型.
关键词:
石墨烯纳米带
,
第一性原理
,
能带结构
,
态密度
,
输运性质
陈莹莹
,
宓一鸣
,
阮勤超
,
阮晓栋
,
金言宜
硅酸盐通报
石墨烯能够以二维晶体在有限温度下稳定存在被发现以来,对石墨烯的研究在物理、化学、材料等研究领域引起了巨大的热潮.石墨烯具有许多优异特性,它可以与金属、金属氧化物、金属化合物等结合,并在超级电容器、电极材料、电池材料、净化水域、生物医学等许多领域有着广泛的应用前景.获得结构为单层或多层性能优良的石墨烯原料是能够将石墨烯成功应用于各个领域的重要前提,因而石墨烯的制备方法是关键.本文综述了石墨烯的多种制备方法,并对这些方法的优缺点进行了分析,阐述了石墨烯的最新应用及发展前景.
关键词:
石墨烯
,
制备方法
,
应用前景
李明
,
宓一鸣
,
言智
,
季鑫
表面技术
采用脉冲激光沉积法,控制靶基距分别为4,6,8 cm,在聚乙烯对苯二甲酸酯基底上沉积铟锌氧化物、铟锡氧化物和铝掺杂氧化锌薄膜,研究了靶基距对薄膜电学、光学、形态和结构特性的影响.结果表明:采用6～8 cm靶基距制备的TCO薄膜,在可见光范围内的光学透光率超过90％,电阻率约为5×10-4 Ω·cm;除了这些优良的电学和光学特性外,靶基距8 cm制备的薄膜均匀、光滑、附着好,且无裂缝或任何其它扩展的缺陷,适用于光电设备.
关键词:
脉冲激光沉积
,
柔性基底
,
透明导电氧化物
,
掺锡氧化铟
,
铝掺杂氧化锌
,
铟掺杂氧化锌
张静
,
王月磊
,
刘浩涵
,
邱胜杰
,
蔡聪
,
宓一鸣
机械工程材料
为了解决尖晶石锰酸锂(LiMn2O4)电池正极在高温下容量降低过快的问题,通过简单方法将NiO包覆到LiMn2O4粉体表面,并对包覆前后LiMn2 O4粉体材料的结构、形貌和相应正极材料的电化学性能进行了研究.结果表明:NiO包覆LiMn2 O4粉体后其晶体结构没有发生改变,表面呈现钟乳石状突起;与包覆前相比,NiO包覆LiMn2 O4粉体后的正极材料的循环性能和倍率性能分别提高了8.79％和14.04％.
关键词:
LiMn2O4
,
NiO
,
包覆
,
电化学性能
,
正极材料
,
锂电池
宓一鸣
,
周细应
材料热处理学报
采用直流磁控溅射法制备了TbFe/feAl超磁致伸缩多层膜,研究了FeAl薄膜的复合对TbFe薄膜磁性能以及热处理温度对TbFe/FeAl磁致伸缩多层膜磁致伸缩系数的影响.结果表明.ThFe层与FeAl层之间的交换耦合作用以及热处理能明显提高薄膜的软磁性能和磁致伸缩性能;与TnFe单层膜相比,TbFe/FeAl多层膜水平方向的矫顽力从59.2kA·m-1降低到29.6kA·m-1;经最佳退火处理(350℃×60min),获得了较低的饱和磁场强度和矫顽力,分别为H =96kA·m-1和,H =16kA·m-1;外加磁场400kA·m-1时,ThFe/FeAl磁致伸缩多层膜磁致伸缩系数可达574×10-6.
关键词:
超磁致伸缩薄膜
,
磁控溅射
,
TbFe/FeAl
,
交换耦合
季鑫
,
周细应
,
宓一鸣
材料导报
采用磁控溅射法在硅基材上制备了Al-Cu-Fe薄膜,采用原予力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)研究了不同溅射时间下Al-Cu-Fe薄膜的生长行为.结果表明.随着溅射时间的延长,Al-Cu-Fe薄膜的β晶相的衍射峰半峰宽逐渐减小,而λ晶相的衍射峰半峰宽则逐渐增大.Al-Cu-Fe薄膜的生长依次经历了小岛形核阶段、小岛结合阶段、连续薄膜阶段、晶粒长大阶段等4个阶段.另外,随着溅射时间的延长,Al-Cu-Fe薄膜的粗糙度呈现出先增大后减小的趋势.
关键词:
Al-Cu-Fe
,
粗糙度
,
薄膜
,
扩散系数
