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AZ抗弹陶瓷和SiC陶瓷抗弹性能对比研究

杨林 , 崔林 , 杜文泽 , 徐鸿雁 , 王鹏 , 宝民 , 李国飞 , 卫志刚

兵器材料科学与工程

采用数值模拟计算和靶试验证的方式,用防护系数表征研究同等厚度的AZ(ZrO2增韧A12O3)陶瓷和SiC陶瓷制作的陶瓷复合板抗7.62 mm穿燃弹的性能.结果表明:同等厚度的AZ抗弹陶瓷和SiC陶瓷制作的陶瓷复合板抗7.62 mm穿燃弹的性能相当,用等厚度的SiC陶瓷代替AZ抗弹陶瓷制作的陶瓷复合板能减轻质量20%以上.

关键词: 防护系数 , AZ抗弹陶瓷 , SiC陶瓷 , 7.62 mm穿燃弹

高效大功率LED用蓝宝石图形衬底制备的研究进展

桂全宏 , 周福强 , 汪桂根 , 崔林 , 黎凌华 , 严帅 , 韩杰才

功能材料

近年来,图形化的蓝宝石衬底在改善GaN晶体外延生长质量以及提升LED器件发光提取效率方面作用显著,引起了广泛的研究兴趣。综述了蓝宝石图形衬底的制备方法(干法刻蚀、湿法刻蚀、外延生长法),并较系统地介绍了蓝宝石图形衬底表面周期性图形参数(图形形貌、图案尺寸、图形占位比及其深度)对LED发光薄膜及器件的影响及其机理,最后对蓝宝石图形衬底的发展趋势进行了展望。

关键词: 蓝宝石图形衬底 , GaN , LED

 用于GaN基发光二极管的蓝宝石图形衬底制备进展

崔林 , 汪桂根 , 张化宇 , 周福强 , 韩杰才

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11785

近几年, 图形化蓝宝石衬底因其作为GaN基发光二极管外延衬底, 不仅能降低GaN外延薄膜的线位错密度, 还能提高LED的光提取效率而引起国内外许多科研机构的广泛研究兴趣. 本文综述了图形化蓝宝石衬底提高GaN基发光二极管性能的作用机理, 重点评述了目前图形化蓝宝石衬底的制备方法(湿法刻蚀、干法刻蚀、固相反应)和图形尺寸(微米图形化、纳米图形化), 分析比较了不同制备方法和图形尺寸制备蓝宝石图形衬底对GaN基发光二极管性能改善, 最后针对蓝宝石图形衬底制备存在的问题对其今后的发展方向做出展望.

关键词:  图形化蓝宝石衬底; 氮化镓; 发光二极管; 横向外延过生长; 综述

高效大功率LED用蓝宝石图形衬底的制备

汪桂根 , 崔林 , 韩杰才 , 王新中 , 严帅 , 秦国双

人工晶体学报

首先在蓝宝石衬底上旋涂PMMA/copolymer双层胶,然后再进行电子束光刻处理,随后溅射铝膜,并结合剥离技术,从而制备图形化金属铝膜;最后再采用两步热处理法,使图形铝膜发生固相外延反应.在此过程中,侧重于电子束光刻和高温热处理的工艺优化研究.SEM测试结果表明,图形化铝膜在450℃低温氧化热处理24h后,其图形形貌没有发生明显改变;在温度低于1200℃的高温热处理1h后,图形仍然存在.HRXRD分析表明,图形化铝膜在450℃低温热处理24h后再在1000℃高温热处理1h,可在蓝宝石衬底上形成氧化铝外延薄膜;并且相比于基片,氧化铝外延薄膜的结晶质量还有所提高.本方法成功实现了高效大功率用LED蓝宝石图形衬底的制备.

关键词: 蓝宝石 , 图形衬底 , 电子束光刻 , 剥离 , 发光二极管

用于GaN基发光二极管的蓝宝石图形衬底制备进展

崔林 , 汪桂根 , 张化宇 , 周福强 , 韩杰才

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11785

近几年,图形化蓝宝石衬底因其作为GaN基发光二极管外延衬底,不仅能降低GaN外延薄膜的线位错密度,还能提高LED的光提取效率而引起国内外许多科研机构的广泛研究兴趣.本文综述了图形化蓝宝石衬底提高GaN基发光二极管性能的作用机理,重点评述了目前图形化蓝宝石衬底的制备方法(湿法刻蚀、干法刻蚀、固相反应)和图形尺寸(微米图形化、纳米图形化),分析比较了不同制备方法和图形尺寸制备蓝宝石图形衬底对GaN基发光二极管性能改善,最后针对蓝宝石图形衬底制备存在的问题对其今后的发展方向做出了展望.

关键词: 图形化蓝宝石衬底 , 氮化镓 , 发光二极管 , 横向外延过生长 , 综述

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