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高Ge成份SiGe合金弛豫及热应变的Raman光谱研究

崔继锋 , 叶志镇 , 吴贵斌 , 赵炳辉

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.023

采用Raman光谱对高Ge含量的锗硅合金中的应变驰豫进行研究,运用Mooney的两种方法对合金中Ge成分及应力进行了分析,并用HRXRD对其分析结果进行了验证.最后分析了热应变对Si1-xGex外延的影响.

关键词: 锗硅 , 拉曼 , 高分辨XRD , 应变驰豫 , 热应变

UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象

吴贵斌 , 崔继锋 , 黄靖云 , 叶志镇

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2004.02.002

本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱的研究,指出表面由于锗的偏析,造成锗在体内和表面的含量不同,在低温时生长锗硅合金,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析,但随着温度的升高,氢的脱附造成锗的偏析现象更加明显.

关键词: 锗硅合金 , 表面偏析 , 表面耗尽 , 超高真空化学气相沉积

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