王金亮
,
段隆臣
,
张昌龙
,
胡章贵
,
霍汉德
,
左艳彬
,
卢福华
人工晶体学报
本文以水热自发成核BSO晶体作为培养料,4.0 mol/L NaOH溶液为矿化剂,采用水热法成功生长出无色BSO晶体,测试了其透过率曲线,并探讨分析了BSO晶体赋色的原因.结果表明:水热法BSO晶体在可见光区基本不存在明显的吸收,解决了熔体法BSO晶体所存在的赋色问题.
关键词:
硅酸铋晶体
,
水热法
,
色心
,
晶体生长工艺
何小玲
,
周海涛
,
王金亮
,
霍汉德
,
张昌龙
,
左艳彬
,
卢福华
人工晶体学报
采用水热法,以固相烧结的化学计量比(2Bi2 O3∶3SiO2)的玻璃态Bi4Si3O12做培养料,以NaOH溶液为矿化剂,研究了在水热体系下形成Bi4Si3O12晶体的相区.结果发现,在生长温度为380 ～ 500℃,矿化剂浓度为1.5 ～4 mol/L时,自发成核生成的晶粒均为Bi4Si3O12和Bi12SiO20两种物相.通过在矿化剂溶液中外加一定量的SiO2,得到完全纯相的Bi4Si3O12,并生长出尺寸超过8 mm的Bi4Si3O12单晶.无论在矿化剂溶液中是否添加SiO2,生长的Bi4Si3O12都呈四面体形状,显露面以{112}面族为主,Bi4Si3O12晶体的这一结晶习性能够用周期性键链(PBC)理论予以解释.
关键词:
Bi4Si3O12
,
水热法
,
结晶习性
何小玲
,
张昌龙
,
周海涛
,
左艳彬
,
覃世杰
,
王金亮
人工晶体学报
GaN作为性能最为优异的第三代半导体材料,其高质量的衬底材料的研发是目前乃至近5年的研究热点,而最好的衬底材料即为GaN体单晶.在为数不多的GaN体单晶的几种生长方法中,氨热法被普遍认为是生长GaN体单晶的一种很有前途的方法.本文主要论述了在不同矿化剂生长条件下GaN晶体的氨热法生长进展,指出了存在的问题,并给出了一些解决办法.
关键词:
氮化镓
,
氨热法
,
进展
左艳彬
,
周海涛
,
王金亮
,
何小玲
,
任孟德
,
张昌龙
人工晶体学报
在分别添加0.1wt％,0.2wt％和0.3％wt％ Sc2O3的水热体系中得到了ZnO单晶体.研究了杂质,特别是Sc对ZnO水热生长机制的影响.Sc及其在碱性溶液中形成阴离子配位中间体基团(例如Sc(OH)4)可以吸附到ZnO的(0001)和(0001)面,导致这两个极性面发生非极性生长,形成规则六棱柱的形貌.在室温下测得的电阻率和载流子浓度显示:即使所得晶体的钪含量仅有8 ～ 13 ppm,Sc掺杂ZnO仍是高导电性的,电阻率低于5.6×10-2 Ω·cm,载流子浓度在0.9～1.6×1018electrons/cm3.表征了切割自+c区和-c区的晶片的Zn面和O面的室温光致发光用于评价光学性能.
关键词:
钪掺杂ZnO
,
水热法
,
生长机理
,
霍尔效应
,
光致发光
