欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(3)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜

郝瑞亭 , 申兰先 , 邓书康 , 杨培志 , 涂洁磊 , 廖华 , 徐应强 , 牛智川

功能材料

利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性能和光学质量进行了研究.发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高.引入GaSb/AlSb超晶格可有效阻断进入GaSb外延层的穿通位错,对应的PL谱强度增强,材料的光学质量变好.

关键词: GaSb , GaAs , 分子束外延(MBE)

高压低温制备硅材料的性能研究

廖华 , 林理彬 , 刘强 , 刘祖明 , 陈庭金

功能材料

研究了用高压低温法制备的硅材料的性能.进行了不同的温度条件下制备陶瓷硅材料的实验研究,获得了最佳的制备条件.用XRD分析了材料的物相;阿基米德法测量了制备材料的密度;对材料的电阻率和硬度进行了测量.结果表明:用高压低温方法可以制备出无氧化相存在的陶瓷硅材料,其最佳的烧结温度为600℃;样品具有较好的机械强度和硬度,获得了适于制备多晶硅薄膜的衬底材料.

关键词: 陶瓷硅材料 , 性能 , 高压 , 低温

三源真空共蒸发沉积 CuInSe_2薄膜

魏晋云 , 廖华 , 王东城

材料研究学报

用三源真空共蒸发沉积CuInSe_2。调节三源的配方及蒸发速率,控制薄膜的组分,获得了具有单相黄铜矿结构的多晶CuInSe_2薄膜。发现适当的热处理对薄膜的成相是必需的。研究了薄膜组分、结构、光学和电学性质与工艺条件的关系。

关键词: 太阳电池 , CuInSe_2 film , vacuum evaporation

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词