姚振钰
,
贺洪波
,
柴春林
,
刘志凯
,
杨少延
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张建辉
,
廖梅勇
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范正修
,
秦复光
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王占国
,
林兰英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.010
室温下在p-Si(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜.XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的,XRC测量则表明了ZnO的高质量.在室温下的PL测量中见到了带边发射,其强度与晶体质量有关.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO薄膜
,
Si衬底
杨君玲
,
陈诺夫
,
刘志凯
,
杨少延
,
柴春林
,
廖梅勇
,
何宏家
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.04.012
利用质量分离的低能双离子束外延技术,得到了(Ga,Mn,As) 化合物.衬底温度 523K 条件下生长的样品的俄歇电子谱表明,一部分锰淀积在 GaAs 的表面形成一层厚度约为 30 nm 的外延层,另一部分锰离子成功注入到 GaAs 基底里,注入深度约为 160 nm.衬底温度为 523K 时获得了 Ga5.2Mn 相,衬底温度为 673K 时获得了 Ga5.2Mn、Ga5Mn8 和 Mn3Ga 相.在 1113K 条件下对 673K 生长的样品进行退火,退火后样品中原有的 Mn3Ga 消失,Ga5Mn8 峰减弱趋于消失,Ga5.2Mn 仍然存在而且结晶更好,并出现 Mn2As 新相.
关键词:
(Ga,Mn,As) 化合物 GaAs 单晶 质量分析的低能离子束
柴春林
,
杨少延
,
刘志凯
,
廖梅勇
,
陈诺夫
,
王占国
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.06.001
利用一种全新的薄膜生长技术-质量分离的双离子束沉积技术,在较低温度(400℃)下对 CeO2(111)/Si(100) 薄膜的生长进行了研究.两束离子的比例以及离子束的能量对薄膜的成分和晶体质量有很大影响,较高能量(300 eV)的离子束对薄膜有轰击作用,并有助于薄膜的择优取向生长.在 400℃时,制备了 CeO2(111)/Si(100) 单晶薄膜.
关键词:
双离子束
,
CeO2/Si薄膜
,
生长
