张争光
,
王秀峰
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王莉丽
,
田清泉
硅酸盐通报
利用化学水浴沉积法在室温下制备了多晶氧化铋薄膜,并在350℃的空气气氛条件下进行退火处理,得到纯的α-Bi2O3,薄膜.对它们的晶相结构、光电性能进行测试.从X衍射分析结果来看,在退火过程中,薄膜结构由四方相和非化学计量相向单斜相转变.光学性质显示退火处理的薄膜吸收边缘明显的向长波的方向移动,发生红移现象,而且禁带宽度减少了0.4eV.退火后的薄膜在室温下暗电导率下降2个数量级.电导率的变化显示具有半导体行为的性质.
关键词:
氧化铋
,
化学水浴法
,
禁带宽度
,
电导率
张争光
硅酸盐通报
在常压下使用烧结法制备了具有高有序结构的Bi4Si3O12微晶.利用X射线衍射分析了生成样品的物相,通过环境扫描电镜观察了Bi4Si3O12晶体微观形貌.用单样本Kolmogorov-Smirnov法分别对晶粒夹角进行了统计学检验.结果显示:在一个稳定的硅酸铋晶列中晶粒成对分布.在一个晶行的一侧,晶粒取向和该晶行发育方向之间的夹角服从正态分布.晶行一侧的晶粒取向夹角的大小范围为53.9°～68.9°.一个稳定晶行一侧的平均晶粒夹角和晶粒尺寸之间具有高度的正相关性.如果稳定晶行一侧的平均晶粒夹角超过稳定晶列中晶粒夹角范围的最大值(68.9°),对应侧的高有序的晶列结构将会被破坏.然而,一侧有序结构的局部湮灭过程不会对晶行另一侧的高有序结构产生任何影响.
关键词:
Bi4Si3O12
,
晶列结构
,
晶粒夹角
,
湮灭
张争光
,
张飚
,
彭勇
,
余立新
膜科学与技术
doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2011.02.005
以己二酸二甲酯的连续合成为目标反应,考察渗透汽化膜反应过程中的反应温度、进料流量、渗透汽化膜面积、进料中醇酸摩尔比等主要参数对己二酸转化率的影响.实验表明:温度越高,进料流量越小,膜面积越大,进料中醇酸比越高,酯化反应转化率越高;在醇酸比为4,流量0.24 mL/min,膜面积291.6 cm2,反应温度60℃条件下,酯化反应转化率可达到99.2%.
关键词:
连续
,
己二酸二甲酯
,
酯化
,
耦合
,
渗透汽化
张争光
,
王秀峰
,
田清泉
硅酸盐通报
在常压下用烧结法制备了具有高有序晶列结构的Bi4Si3O12微晶.利用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)和环境扫描电镜(Environmental Scanning Electron Microscopy,ESEM)分析了生成晶体的物相和微观形貌.结果表明:生成的是纯的立方相Bi4Si3O12晶体.Bi4Si3O12晶粒总是成对分布,且排列成行,从而形成高有序的晶列结构.其晶粒尺寸变化趋势有两种,一种是逐渐增大或者减小,另一种是晶粒尺寸在某一区域值内基本保持不变.在大多数情况下,每个晶行两侧的晶粒变化趋势具有一致性,每行两侧的晶粒尺寸具有高度的正相关特性.如果某行两侧的晶粒尺寸变化趋势不一致,而且晶粒尺寸不相关,则该行两侧晶粒应该属于两种不同的变化趋势.
关键词:
Bi4Si3O12
,
晶列结构
,
晶粒尺寸变化趋势
,
高度正相关
