欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(4)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

白宝石晶体的高温强度及强化技术研究进展

张俊计 , 徐军

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.028

白宝石高温强度的降低主要是由于c轴方向受到压应力时产生r面双晶所引起的.高温强度的下降导致其抗热震性能降低,从而限制了白宝石晶体作为红外窗口和头罩材料的应用.白宝石晶体的强化主要以消除双晶核以及控制双晶的扩展来实现.本文分析了影响白宝石强度的主要因素,在此基础上对目前白宝石晶体强化的方法进行了总结和分析.

关键词: 白宝石 , 高温强度 , 双晶 , 强化

低压CVD氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌

刘学建 , 金承钰 , 张俊计 , 黄智勇 , 黄莉萍

无机材料学报

以三氯硅烷(TCS)和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅薄膜(SiNx)的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作总压力、反应温度、气体原料组成等工艺因素对SiNx薄膜沉积速率和表面形貌的影响.结果表明:随着工作压力的增大,SiNx薄膜的沉积速率逐渐增加,并产生一个峰值.随着原料气中NH3/TCS流量比值的增大,SiNx薄膜的沉积速率逐渐增加,随后逐步稳定.随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在830℃附近达到最大,随着反应温度的进一步升高,由于反应物的热分解反应迅速加剧,使得SiNx薄膜的沉积速率急剧降低.在730-830℃的温度范围内,沉积SiNx薄膜的反应表观活化能约为171kJ/mol.在适当的工艺条件下,制备的SiNx薄膜均匀、平整.较低的薄膜沉积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度.

关键词: LPCVD , silicon nitride thin films , growth rate , surface morphology

Al2O3/金属多相材料研究进展

宁金威 , 张俊计 , 潘裕柏 , 郭景坤

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2003.05.014

阐述了Al2O3/金属多相材料的研究进展状况,对目前已经研究的体系、制备工艺、显微结构与性能以及目前存在的问题和发展趋势等进行了概括,重点对其功能化进行了比较详细的阐述.此外,也介绍了我们在功能化方面所得到的一些有用的结果.

关键词: Al2O3/金属 , 多相材料 , 研究进展

低压CVD氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌

刘学建 , 金承钰 , 张俊计 , 黄智勇 , 黄莉萍

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.02.020

以三氯硅烷(TCS)和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅薄膜(SiNx)的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作总压力、反应温度、气体原料组成等工艺因素对SiNx薄膜沉积速率和表面形貌的影响.结果表明:随着工作压力的增大,SiNx薄膜的沉积速率逐渐增加,并产生一个峰值.随着原料气中NH3/TCS流量比值的增大,SiNx薄膜的沉积速率逐渐增加,随后逐步稳定.随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在830℃附近达到最大,随着反应温度的进一步升高,由于反应物的热分解反应迅速加剧,使得SiNx薄膜的沉积速率急剧降低.在730~830℃的温度范围内,沉积SiNx薄膜的反应表观活化能约为171kJ/mol.在适当的工艺条件下,制备的SiNx薄膜均匀、平整.较低的薄膜沉积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度.

关键词: LPCVD , 氮化硅薄膜 , 沉积速率 , 表面形貌

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词