唐世红
,
赵北君
,
朱世富
,
王瑞林
,
高德友
,
陈俊
,
张冬敏
,
何知宇
,
方军
,
洪果
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.023
用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷.刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存在的点缺陷主要是占优势的Cd空位,用富Cd同成份源Cd1-xZnxTe气氛对样品在不同温度下等时退火后,发现样品的正电子寿命参数对退火温度表现出很强的依赖关系,通过对样品退火过程中空位的迁移、聚集及消失情况分析,得出较适宜的退火温度约为700℃.
关键词:
碲锌镉
,
正电子湮没技术
,
寿命
,
退火
张冬敏
,
朱世富
,
赵北君
,
高德友
,
陈俊
,
唐世红
,
方军
,
程曦
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.010
报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响.先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光,然后分别用H2O2溶液和NH4F/H2O2溶液对晶片进行湿法钝化;再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对CdZnTe晶片电学性质和表面形态的影响.结果发现:用NH4F/H2O2溶液对CdZnTe探测器晶片进行钝化30min,晶片表面形成一层完整的高阻氧化层,表面漏电流最小、晶体电阻率提高1～2个数量级,达到109～10Ω·cm,适合探测器的制备.
关键词:
碲锌镉晶片
,
表面处理
,
漏电流
,
电阻率
,
形貌
高德友
,
赵北君
,
朱世富
,
唐世红
,
何知宇
,
张冬敏
,
方军
,
程曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.003
探索了一种Cd1-xZnxTe(CZT)探测器晶片退火的新装置和新方法,该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同组分源退火研究.利用XRD、红外透射谱和晶体电阻率表征了采用该装置在富Cd的同组分CZT粉末源包裹下,选择适宜的退火温度和时间进行退火后的CZT单晶片,晶片的电阻率有一定的提高,红外透过率有一定改善.XRD分析表明,经过退火后,CZT单晶片中的cd组分含量有一定增加.采用该方法退火后,晶体品质有一定提高.
关键词:
碲锌镉单晶片
,
退火
,
电阻率
,
XRD
,
红外透射谱
