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正反欧姆区间伏安特性对镀层均匀性及膜/基结合强度的影响

冯林 , 蒋百灵 , 杨超 , 郝娟 , 张彤晖

稀有金属

将靶材与真空腔之间的伏安特性引入正-反欧姆过渡区间,采用脉冲控制模式研究不同靶电流密度对镀层均匀性和膜/基结合强度的影响规律.实验发现,当靶面放电区电流密度(Id)由0.083 A/cm2增加至0.175 A/cm2时,靶电压随靶电流密度的增大呈线性增大关系,与之对应的镀层厚度差由7.984 μm增大至14.011 μm;但当Id由0.175 A/cm2增大至0.25 A/cm2时,靶电压随靶电流密度的增大呈线性减小关系,与之对应的镀层厚度差则由14.011 μm减小至10.077μm;而薄膜厚度减小率由97.38% (Id=0.083 A/cm2)降低为89.491% (Id=0.25 A/cm2);另外,在反欧姆区,膜/基结合强度随Id的增大而快速增大.以上结果表明:反欧姆环境下有利于改善镀层的均匀性和提高膜/基结合强度.

关键词: 磁控溅射离子镀 , 伏安特性 , 反欧姆区 , 离化率

正反欧姆区间伏安特性对TiN薄膜微观结构及性能的影响

郝娟 , 蒋百灵 , 杨超 , 冯林 , 张彤晖

稀有金属

采用脉冲控制模式将气体放电伏安特性由磁控溅射离子镀的“正欧姆”区间引入到“反欧姆”区间,并在不同靶电流密度下制备了TiN薄膜.研究了正反欧姆区间伏安特性对薄膜微观结构及性能的影响.结果表明:在靶电流密度(Itd)大于0.2 A·cm-2的反欧姆区间,薄膜具有良好的表面质量和致密程度;且薄膜的硬度和膜/基结合强度分别由正欧姆区间Itd为0.11A·cm-2的9.9 GPa、4.5N提升到反欧姆区间Itd为0.38 A·cm-2的25.8 GPa、18N.

关键词: 反欧姆区 , 靶电流密度 , TiN薄膜 , 离化率

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