包广洁
,
钟妮
,
张文霞
,
李燕梅
,
吕玮
,
张树江
,
康宏
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.14.015
基于聚癸二酸丙三醇酯(PGS)优异的亲水性能,左旋聚乳酸(PLLA)良好的力学性能,以六氟异丙醇(HFIP)为溶剂,将PGS与PLLA按质量比1∶3、1∶1、3∶1配制成25％的纺丝液,采用静电纺丝技术制备了不同比例的新型三维纳米支架.通过扫描电镜、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)、X射线衍射仪、热重分析仪、Instron微力试验机、接触角测量仪对共纺膜片进行表征.结果表明共纺膜片分布均匀,交织成网状;共纺膜片中加入PLLA对PGS聚合物结构几乎没有影响;随着PGS含量增加,结晶度呈增强趋势;伴随PLLA质量增加,热稳定性也趋于稳定;加入PGS,PGS/PLLA共纺膜片获得较好的亲水性,支架力学性能也得到改善;PGS/PLLA三维支架和山羊颞下颌关节盘细胞共培养,结果表明关节盘细胞在不同比例支架上粘附、铺展均良好,且在PGS/PLLA(1/3)膜片上生长较好.
关键词:
PGS
,
PLLA
,
静电纺丝
,
三维纳米支架
闫辰奇
,
刘玉岭
,
张金
,
张文霞
,
王辰伟
,
何平
,
潘国峰
电镀与涂饰
研究了一种多元胺醇型非离子表面活性剂对铜化学机械抛光(CMP)液粒径及分散度、抛光速率、抛光后铜膜的碟形坑高度、表面非均匀性和表面粗糙度的影响.抛光液的基本组成和工艺条件为:SiO2(粒径60 ～ 70 nm) 5％(体积分数,下同),多羟多胺螯合剂3％,30％(质量分数)过氧化氢3％,工作压力1 psi,背压1 psi,抛头转速87 r/min,抛盘转速93 r/min,抛光液流量300 mL/min,抛光时间60 s,抛光温度23℃.结果表明,表面活性剂的引入可提高抛光液的稳定性.当表面活性剂含量为3％时,抛光速率、抛光后碟形坑高度、表面非均匀性和表面粗糙度分别为614.86 nm/min、76.5 nm、3.26％和0.483 nm,对铜晶圆的平坦化效果最好.
关键词:
铜
,
晶圆
,
化学机械抛光
,
平坦化
,
非离子型表面活性剂
,
机理
张金
,
刘玉岭
,
闫辰奇
,
张文霞
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2017.01.007
在铝栅化学机械平坦化(CMP)中磨料直接影响去除速率和表面粗糙度.采用不同粒径的磨料配置抛光液对铝栅进行CMP实验,对去除速率和表面形貌测试结果进行分析.结果表明,去除速率与参与抛光的磨料颗粒数目和单个颗粒去除速率有关,表面粗糙度与单个磨料颗粒机械作用和抛光后磨料颗粒表面吸附有关,并对抛光液稳定性进行了研究.最终选用粒径70 nm,质量分数为5％的磨料,去除速率可达到181 nm/min,表面粗糙度为9.1nm,对今后铝栅CMP的研究提供了参考.
关键词:
化学机械平坦化
,
去除速率
,
粒径
,
粗糙度
,
高k金属栅极
张金
,
刘玉岭
,
闫辰奇
,
张文霞
电镀与涂饰
在低工作压力(1 psi)和低磨料用量(纳米硅溶胶体积分数2.5％,后同)下,通过单因素实验探讨了碱性抛光液组分(包括氧化剂H2O2、FA/O型螯合剂和非离子型表面活性剂)含量对铝栅化学机械抛光过程中铝去除速率的影响,确定抛光液的组成为:氧化剂1.5％,螯合剂0.5％,表面活性剂1.0％.铝的去除速率为1 00 nm/min,抛光后的表面粗糙座为8.85 nm.
关键词:
铝栅
,
化学机械抛光
,
氧化剂
,
螯合剂
,
表面活性剂
,
去除速率
张金
,
刘玉岭
,
闫辰奇
,
张文霞
,
牛新环
,
孙鸣
电镀与涂饰
采用由2.5％(体积分数,下同)硅溶胶磨料、1.5％ H2O2、0.5％ FA/O型螯合剂和1.0％表面活性剂组成的抛光液对铝栅表面进行化学机械平坦化处理.研究了抛光垫、抛光压力、流量、抛光头转速、抛光垫转速以及抛光后清洗对铝栅表面粗糙度的影响.采用POLITEXTM REG抛光垫,在抛光压力1.5 psi,抛头转速60 r/min,抛光盘转速65 r/min,抛光液流量150 mL/min的条件下,对铝栅抛光后用自主研发的清洗剂清洗,铝栅表面粗糙度最低(2.8 nm),并且无划痕、腐蚀、颗粒残留等表面缺陷.
关键词:
铝栅
,
化学机械平坦化
,
抛光
,
缺陷
,
表面粗糙度
