张国恒
,
马书懿
,
陈彦
,
张汉谋
,
徐小丽
,
魏晋军
,
孙小菁
功能材料
采用磁控溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜,在室温下测量了Au/镶嵌纳米碳粒氧化硅膜/p-Si结构的电致发光谱,电致发光谱显示,随着正向偏压的增加,来自该结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动,发光强度增大.利用位形坐标模型对C镶嵌SiO2薄膜的电致发光谱进行了分析,结果表明该结构的电致发光谱存在1.8和2.0eV左右的两个发光中心,分别来自SiO2层的非桥氧空位和纳米C团簇.
关键词:
磁控溅射
,
纳米碳粒
,
电致发光
,
位形坐标
孙小菁
,
马书懿
,
张汉谋
,
徐小丽
,
魏晋军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.045
用电化学方法对多孔硅薄膜进行了镁离子的化学掺杂.用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性,发现镁掺杂增强了多孔硅的蓝光发射,当镁离子浓度增大到0.002mol/L时,可使蓝光强度达到多孔硅红光强度的一半.红外吸收谱表明,掺镁多孔硅的表面形成较完整的Si-O-Si网络结构,分析结果认为,多孔硅的蓝光光激发主要发生在多孔硅的纳米硅粒中,光发射主要发生在多孔硅中包裹纳米硅SiOx层中的发光中心上,对实验结果进行了合理的解释.
关键词:
多孔硅
,
镁离子掺杂
,
电化学
,
光致发光
,
红外吸收
陈团结
,
孙爱民
,
张汉谋
,
沈东星
,
朱海滨
,
李彦炜
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.03.007
由双带模型,在BCS理论的框架内,唯象地引进调制势函数Ф,研究了固溶体Mgt-xRxB2和MgRxB2-x(R为某掺杂元素)的超导临界温度,我们看到在Ф=0.2处出现了一个超导临界温度Tc峰,这显然与掺杂的物质种类、比率及均匀程度有关,我们的研究结果与M.J.Mehl等人[1]根据BCS理论密度方程计算基本一致,也与杨帆等人[2]通过ab initio计算相吻合.对已有实验结果的拟合发现,目前实验制备出的MgB2型超导体的Ф值均已大于0.4.这些结果为我们今后的实验研究工作提供了一个可供参考的研究方向.
关键词:
超导固溶体
,
双带模型
,
BCS理论
,
临界温度
张汉谋
,
马书懿
,
张国恒
功能材料
采用电化学方法在多孔硅中掺杂了稀土铈(Ce)元素.利用原子力显微镜表征了多孔硅和Ce掺杂多孔硅的表面形貌,采用荧光分光计对样品的光致发光(PL)特性进行了研究.多孔硅样品在480nm波长激发下PL谱上观察到两个发光峰,分别位于572和650nm;通过光致发光激发谱测量,得到位于572、650nm的发光峰对应的最佳激发波长分别为380和477nm.Ce掺杂多孔硅样品在480nm波长激发下,PL谱上只显示出多孔硅原有的发光增强;而在380nm波长激发下的PL谱上不仅显示多孔硅原有的发光增强,而且还出现了新的发光峰位于517nm.认为这分别是Ce3+与nc-Si发生了能量传递和Ce掺杂引入了新的发光中心所造成的.
关键词:
稀土
,
电化学掺杂
,
光致发光
