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双靶共溅射制备Cd1-x Znx Te多晶薄膜的性质研究

汪雪梅 , 王文武 , 武莉莉 , 张立祥 , 冯良桓 , 张静全 , 李卫

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.08.030

采用双靶共溅射法,分别在不同衬底温度、沉积压强和溅射功率下制备了 Cd1-x Znx Te 多晶薄膜样品,并采用X射线衍射仪、X 射线荧光光谱仪、扫描电子显微镜等方法对制备的 Cd1-x Znx Te 薄膜的结构、成分、形貌和光电学性质进行测试分析。结果表明,300℃衬底温度下制备的Cd1-xZnxTe薄膜成分单一,立方相结构,生长致密,表面颗粒平均大小约50 nm,Cd1-x Znx Te薄膜在(111)晶面的2θ值及晶格常数与Zn组分呈线性关系。Cd1-x Znx Te薄膜的禁带宽度与组分x 值呈线性关系。随着气压从8 Pa降低至1 Pa,Cd1-x Znx Te薄膜的晶粒尺寸增加,生长更加致密。Cd1-xZnxTe薄膜的室温电导率约为8.61×10-11(Ω·cm)-1,呈弱P型。

关键词: Cd1-x Znx Te薄膜 , 磁控溅射 , 叠层电池

聚丙烯腈填充聚四氟乙烯复合材料的结构表征及性能

宋明斌 , 张立祥 , 黄文浩 , 王延梅

高分子材料科学与工程

将聚丙烯腈粉末填充改性聚四氟乙烯,利用傅立叶红外光谱(FT-IR)研究了聚合物在聚四氟乙烯复合材料烧结成型过程中的化学变化;用热失重分析(TGA)和动态力学分析(DMA)考察了聚四氟乙烯复合材料的热稳定性、动态力学性能的变化及两种聚合物的相容性.结果表明:(1)聚丙烯腈在烧结过程中发生了环化反应;(2)聚丙烯腈的加入使聚四氟乙烯复合材料的起始分解温度有所降低;(3)聚丙烯腈的加入提高了复合材料的玻璃化转变温度,但同时也使其低温动态模量降低.

关键词: 聚四氟乙烯 , 聚丙烯腈 , 红外光谱 , 热失重分析 , 动态力学分析

聚丙烯腈填充聚四氟乙烯复合材料摩擦磨损性能研究

宋明斌 , 张立祥 , 沈兆龙 , 黄文浩

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2006.10.014

用机械共混、冷压成型和空气中烧结的方法制备了不同质量分数的聚丙烯腈填充聚四氟乙烯制品.用MM-200摩擦磨损试验机测试不同样品在干摩擦下的摩擦学行为;用扫描电子显微镜和光学显微镜对几种样品的磨损面、磨屑和转移膜进行观察和分析.结果表明,聚丙烯腈的加入,不但使聚四氟乙烯的磨损量大幅降低,而且还使其摩擦系数有所降低.通过扫描电子显微镜观察发现填充聚丙烯腈的聚四氟乙烯样品的对磨面有完整而且不易脱落的转移膜,这是其具有良好耐磨性的主要原因.

关键词: PTFE , PAN , 填充 , 摩擦磨损

排气方式及工艺参数对等离子体刻蚀a-Si 均一性的影响

张立祥 , 王海涛 , 王尤海 , 夏庆峰

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163112.1112

本文对在等离子体刻蚀工艺中,功率、压强、气体比例重要参数对 a-Si 刻蚀均一性的影响进行了研究。采用PECVD 成膜、RIE 等离子体刻蚀,并通过台阶仪和光谱膜厚测定仪对膜厚进行表征。结果表明压强在10~15 Pa,功率在5500~6500 W 的参数区间,a-Si 刻蚀均一性波动不大,适合工业化生产。a-Si 刻蚀速率及刻蚀均一性对气体比例较为敏感,SF6∶HCl=800∶2800 mL/min 时 a-Si 刻蚀均一性为最佳。四角排气方式对维持等离子体浓度作用明显,有利于刻蚀均一性的提升。四周排气方式会破坏等离子体浓度进而破坏 a-Si 刻蚀的均一性。

关键词: 等离子体刻蚀 , a-Si , 均一性 , 排气方式

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