孟骁然
,
平云霞
,
常永伟
,
魏星
,
俞文杰
,
薛忠营
,
狄增峰
,
张苗
,
张波
功能材料与器件学报
本文详细研究了高锡含量锗锡合金(Ge0.92Sn0.08)与镍在退火条件下的反应.通过表层电阻测试、原子力显微镜和透射电镜等表征手段,我们分别研究了镍锗锡材料在300℃、400℃、500℃温度下退火后的表面和界面形貌.研究表明:与镍和锗反应相比,镍和锗锡材料反应生成的镍锗锡薄膜热稳定性变差,退火温度400℃后镍锗锡薄膜表层电阻就迅速增加,样品表面变得不连续,团聚为平均长度200nm左右的岛状晶粒,样品表面和界面与电学性质都遭到了破坏.
关键词:
锗锡合金
,
镍
,
热稳定性
张波
,
陈静
,
魏星
,
武爱民
,
薛忠营
,
罗杰馨
,
王曦
,
张苗
功能材料
采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜.利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究.研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低.
关键词:
氮化镓
,
绝缘体上硅
,
侧向外延
刘卫丽
,
多新中
,
张苗
,
沈勤我
,
王连卫
,
林成鲁
,
朱剑豪
功能材料
采用超高真空电子束蒸发的方法在用阳极氧化制备的多孔硅衬底上外延单晶硅,研究了不同多孔硅衬底对外延质量的影响.采用高能电子衍射表征外延层的晶体结构,截面透射电镜表征材料的微结构,原子力显微镜表征外延层表面的粗糙度,卢瑟福背散射/沟道表征外延层晶体质量,扩展电阻表征材料的电学性能.一系列的测试结果表明对于在5mA/cm2电流密度下阳极氧化10min形成的多孔硅衬底,可用超高真空电子束蒸发的方法外延出质量良好的单晶硅.
关键词:
多孔硅
,
超高真空电子束蒸发
,
外延
,
单晶硅
范秀强
,
张正番
,
刘永光
,
多新中
,
张苗
,
王连卫
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.012
介绍一种SOI/CMOS数模转换器的设计和工艺.电路采用了SOI(SiliconOnInsulator)材料代替常规的体硅,使电路具有高速、抗辐照的特点;同时,电路采用独特分段结构和3-7温度编码电路,降低了对R-2R电阻网络的精度要求,提高了转换精度.
关键词:
数模转换器
,
SOI/CMOS
,
高速度
,
模拟开关
邱添
,
黄静静
,
张苗
,
王先福
,
李辰
,
卢晓英
,
翁杰
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12226
采用物理共混法(PB)、化学共沉积法(CC)和仿生浸泡法(BI)合成了多壁碳纳米管/羟基磷灰石复合粉(MWNTs/HA),并将其作为磷酸钙骨水泥(CPC)的固相粉末之一,分别制备了相应的CPC样品.由于MWNTs对液相中水分子的吸附、毛细管作用以及表面存在较多的亲水基团,使得含有MWNTs的CPC样品的亲水性得以提高,且初凝时间和终凝时间都有所缩短,但仍满足临床应用的要求.由于CPC中的MWNTs/HA复合粉末的合成方式不同,使之对CPC的抗压性能、CPC中HA的结晶性、微观形貌影响均较大,但并不影响CPC的晶相组成.其中PB法所合成的MWNTs/HA复合粉末能促进CPC中纳米级HA晶体的转化和生长,使针状HA含量的表现为最高,且抗压力学性能为最好,其抗压强度和弹性模量分别较空白CPC提高了48.23％和41.87％.
关键词:
磷酸钙骨水泥
,
碳纳米管
,
羟基磷灰石
,
物理共混
,
化学共沉积
,
仿生浸泡
门传玲
,
徐政
,
安正华
,
张苗
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.001
采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜.以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝缘性能良好,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足键合需要.利用智能剥离技术(Smart-cutprocess)成功地制备了以AlN薄膜为埋层的SOI(silicon-on-insulator)材料.剖面透射电镜照片(XTEM)给出了此SOI结构,高分辨TEM实验结果表明上层硅具有与衬底硅相似的结晶质量可满足器件制造的要求.
关键词:
AlN薄膜
,
键合
,
SOI
,
离子束增强沉积
史晓华
,
王刚
,
郭庆磊
,
张苗
,
狄增峰
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.10.032
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理,研究石墨烯与Ge衬底之间的界面结构.计算结果表明,在3种衬底Ge(111)、Ge(100)和Ge(110)上界面结合能有相同的规律,均在平衡距离为3.3A时获得最低能量,平均每个碳原子的界面结合能分别为24.3 meV、21.1 meV和23.3 meV;通过构造0～60°之间不同的界面夹角,发现一个高对称性的界面结构;相比本征Ge衬底,石墨烯与H钝化后Ge衬底之间的界面平衡距离增大,结合能降低;H钝化能有效地屏蔽石墨烯与Ge衬底之间的相互作用,恢复了本征石墨烯的电子性质,起到缓冲层作用.
关键词:
锗衬底
,
石墨烯
,
界面结构
,
第一性原理
林青
,
谢欣云
,
朱鸣
,
张苗
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.024
阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等.结合SOI新结构制备工作,报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展.
关键词:
自加热效应
,
沟道电流
,
跨导畸变
,
负微分迁移率
,
SOI新结构
王石冶
,
刘卫丽
,
张苗
,
林成鲁
,
宋志棠
功能材料
综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.
关键词:
SOI
,
高压器
,
击穿电压
于伟东
,
王曦
,
陈静
,
张苗
功能材料
注氧隔离法(SIMOX)和体硅智能剥离法(smart-cut)是目前制备绝缘体上的硅(SOI)材料的最重要的两种方法.而离子注入是其中最主要工艺过程.本文简述了等离子体基离子注入(PBII)在制备SOI的两种方法中应用的国内外研究现状.讨论了两种方法中需要考虑的共性问题,包括注入剂量的均匀性、等离子体中离子的选择、单一能量的获得以及避免C、N、O及金属粒子的污染等.并且针对SIMOX和smart-cut各自的工艺特点,分别讨论了不同工艺参数的选择、工艺中出现的主要问题和一些已经得到的解决办法.
关键词:
SOI材料
,
PBII
,
SIMOX
,
Smart-Cut
