张光明
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刘杰
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徐守宇
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郑云友
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吴成龙
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曲泓铭
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李伟
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宋泳珍
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李正動
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132802.0224
为了减少制造工艺的流程,改进的4-Mask工艺被广泛应用.但这个工艺仍存在一些问题,如果有源层刻蚀和第二次源漏数据线刻蚀之间间隔时间较长(≥5.9h),则有源层刻蚀所用气体Cl2形成的活化分子会对沟道内Al造成腐蚀.除了缩短上述间隔时间的方法外,本文应用有源层刻蚀后处理加入SF6/O2的方法,很好地阻止了对Al的腐蚀,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义.
关键词:
有源层
,
腐蚀
