李冬梅
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李璠
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苏宏波
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王立
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戴江南
,
蒲勇
,
方文卿
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江风益
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.014
本文采用常压MOGVD方法在Ti/Si(111)模板上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,使用二乙基锌为Zn源,去离子水为O源.Si衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发,然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶,接着在680℃进行ZnO薄膜的生长.采用粉末衍射法、双晶X射线衍射及光致发光技术研究了材料的取向、结晶性能及发光性能.结果表明,本文制备了高度择优取向和良好发光性能的ZnO薄膜.
关键词:
氧化锌
,
金属Ti
,
Si衬底
,
金属有机化学气相沉积
戴江南
,
王立
,
方文卿
,
蒲勇
,
江风益
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.006
以 H2O作氧源, Zn(C2H5)2作 Zn源, N2作载气,以 GaN/Al2O3为衬底采用常压 MOCVD技术 生长了高质量的 ZnO单晶膜.用 X射线双晶衍射技术测得其对称衍射 (0002)面ω扫描半峰宽 ( FWHM)为 404arcsec,表明所生长的 ZnO膜具有相当一致的 C轴取向;其对称衍射( 0004)面ω- 2θ扫描半峰宽为 358arcsec,表明所生长的 ZnO单晶膜性能良好;同时,该 ZnO薄膜的非对称衍射 (1012)面ω扫描半峰宽为 420arcsec,表明所生长的 ZnO膜的位错密度为 108cm- 2,与具有器件质 量的 GaN材料相当.
关键词:
MOCVD
,
ZnO
,
GaN
,
X射线双晶衍射
